[实用新型]防护薄膜框架、防护薄膜及包括其的装置及系统

说明书

本实用新型的目的在于提供一种使用防护薄膜框架的防护薄膜，其在真空下进行EUV曝光时，耐受自大气压到真空的压力变化而不会产生防护薄膜膜片的破损，而且，框架的加工性良好且在剥离防护薄膜时框架不会破损。本实用新型提供一种防护薄膜框架，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，所述防护薄膜框架为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部，每1mm³体积的防护薄膜的内空间中，内侧面的通气面积的合计为0.001mm²以上，且提供一种防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光装置、曝光系统、半导体的制造系统及液晶显示板的制造系统。

技术领域

本实用新型涉及一种作为异物去除器而装设于微影(lithography)用光掩模的防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、极紫外线曝光装置、曝光系统、半导体的制造系统及液晶显示板的制造系统。

背景技术

近年来，大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit，LSI)的设计规则正推进向亚四分之一微米(sub-quarter micron)的微细化，伴随于此，正推进曝光光源的短波长化。即，曝光光源自基于水银灯的g射线(436nm)、i 射线(365nm)转移为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm) 等，进而研究有使用主波长13.5nm的极紫外光(ExtremeUltra Violet Light， EUV光)的EUV曝光。

在LSI、超LSI等半导体制造或液晶显示板的制造中，对半导体晶片或液晶用原板照射光来制作图案，若此时使用的微影用光掩模及标线(reticle) (以下，加以总称而记述为“曝光原版”)附着有异物，则所述异物会吸收光，或者会使光弯曲，因此所转印的图案变形，或者边缘粗杂，此外，还存在基底被染黑，尺寸、品质、外观等受损的问题。

这些作业通常是在洁净室(clean room)内进行，但即便如此，也难以使曝光原版始终保持洁净。因此，一般采用当在曝光原版的表面贴附防护薄膜作为异物去除器后进行曝光的方法。此情况下，异物不会直接附着于曝光原版的表面，而是附着于防护薄膜上，因此，若在微影时使焦点在曝光原版的图案上对焦，则防护薄膜上的异物便与转印无关。

所述防护薄膜的基本结构为：在包含铝或钛等的防护薄膜框架的上端面张设相对于曝光中所使用的光而透过率高的防护薄膜膜片，并且在下端面形成气密用衬垫(gasket)。气密用衬垫一般使用粘合剂层，并贴附有以保护所述粘合剂层为目的的保护片。防护薄膜膜片包含使曝光中使用的光(基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)、KrF准分子激光(248nm)、ArF 准分子激光(193nm)等)良好地透过的硝基纤维素、乙酸纤维素、氟系聚合物等，但在EUV曝光用中，正在研究极薄硅膜或碳膜来作为防护薄膜膜片。

另外，由于EUV曝光是在真空下进行，因此EUV用防护薄膜需要耐受自大气压到真空的压力变化，要求EUV防护薄膜的通气面积要大。

因此，在专利文献1中提出了一种具有防护薄膜框架的防护薄膜，其在防护薄膜框架的相向的两侧面分别设置有相对于另一侧面开孔面积率为 50％～90％的通气孔。然而，给防护薄膜内外的压力变化带来影响的是相对于防护薄膜的内部空间体积的通气面积，仅以防护薄膜框架的开孔面积率进行讨论并不充分。

另外，在专利文献2中提出了一种每1cm³体积的防护薄膜的内部空间中，设置于陶瓷制框架的贯通孔的流路面积的合计为0.005cm²以上的防护薄膜框架。然而，可知，在陶瓷制的情况下，由于原材料并无延展性，因此在剥离防护薄膜时等，若对防护薄膜框架局部施加强力，则所述防护薄膜框架会破损，有时会产生异物。为了使防护薄膜框架具有强度，一般而言加厚防护薄膜框架即可，但由于EUV用的防护薄膜存在最大高度2.5mm的限制，因而难以加厚防护薄膜框架来防止破损。

[现有技术文献]

[专利文献]