[实用新型]一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置

说明书

一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置，包括用于盛装TEOS液体的TEOS罐和用于加热TEOS罐的壳体，所述壳体包括设置在壳体外层的保温层和设置在壳体内层的加热层，加热层围成用于放置TEOS罐的凹槽，加热层内均布有加热电阻丝和用于检测加热层内温度的温度传感器。本实用新型能够为TEOS液体提供均匀、稳定的加热环境，产生稳定流量的TEOS气体，保证半导体硅抛光片的产品质量。

技术领域

本实用新型涉及LPCVD工艺技术领域，具体涉及一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置。

背景技术

半导体硅抛光片生产过程中有一道重要的工艺就是背封工艺。背封工艺主要的一种方式就是采用LPCVD（低压化学气象淀积原理）在硅片背面生长一层二氧化硅或多晶硅薄膜。执行背封工艺主流设备有一种是低压卧式背封炉，其将硅片放入石英管内，用真空泵对炉管进行抽真空，制造真空环境然后再通入TEOS（正硅酸乙酯）气体，并通过蝶阀的开合角度控制石英管内的压力，使TEOS气体在适当的温度和特定的压力环境下进行分解反应，在硅片背面生成一层二氧化硅薄膜。

TEOS常温状态下是液态，只有通过加热后才能转化为气态，在现有的生产过程中，常通过加热装有TEOS液体的罐子产生TEOS气体，但是，在生成TEOS气体的过程中，多采用对TEOS罐内TEOS液体直接加热产生TEOS气体，TEOS罐内TEOS液体的温度波动较大，生成的TEOS气体流量不稳定，使得TEOS罐内TEOS气体在进入LPCVD炉时，经常出现流量不稳定现象，影响半导体硅抛光片的产品质量。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置，其能够为TEOS液体提供均匀、稳定的加热环境，从而生成稳定流量的TEOS气体，使得TEOS气体平稳进入LPCVD炉，保证半导体硅抛光片的产品质量。

本实用新型为了解决上述技术问题所采用的技术方案是：

一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置，包括用于盛装TEOS液体的TEOS罐和用于加热TEOS罐的壳体，所述壳体包括设置在壳体外层的保温层和设置在壳体内层的加热层，加热层围成用于放置TEOS罐的凹槽，加热层内均布有加热电阻丝和用于检测加热层内温度的温度传感器。

进一步地，所述加热层为由金属制作的环形型腔，所述加热电阻丝沿所述环形型腔蛇形排布。

进一步地，所述保温层内填充有保温棉。

进一步地，还包括用于设置在壳体顶端的盖板，盖板上设有供设置在TEOS罐上的排气管穿过的通孔，所述盖板通过螺钉安装在壳体的顶端。

进一步地，还包括设置在壳体侧壁上的温控器，所述温度传感器电性连接所述温控器，所述加热电阻丝通过继电器连接温控器。

进一步地，所述温控器为欧姆龙E5CC温控器。

进一步地，所述温度传感器为Pt100热电阻。

本实用新型有益效果：

本实用新型通过设置带有加热层和保温层的壳体，加热层围成用于放置TEOS罐凹槽，可对TEOS罐内的TEOS液体进行均匀加热，为TEOS罐提供一个均匀、稳定的加热环境，进而生成稳定流量的TEOS气体，使得TEOS气体平稳进入LPCVD炉，保证半导体硅抛光片的产品质量。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型不带盖板的俯视结构示意图；

图3为加热电阻丝的结构示意图。

图中标记：1、温控器，2、继电器，3、螺钉，4、温度传感器，5、TEOS罐，6、供气管，7、盖板，8、保温层，9、加热层，10、加热电阻丝。

具体实施方式