[实用新型]一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置有效
| 申请号： | 202121102080.3 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN215328349U | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张天鹏;李艳巧;乔光辉;王军;陈伊林 | 申请（专利权）人： | 麦斯克电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/40;C23C16/52 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 逯雪峰 |
| 地址： | 471000 河南省洛*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 lpcvd 炉用 teos 气体 生成 装置 | ||
1.一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置，其特征在于，包括用于盛装TEOS液体的TEOS罐（5）和用于加热TEOS罐（5）的壳体，所述壳体包括设置在壳体外层的保温层（8）和设置在壳体内层的加热层（9），加热层（9）围成用于放置TEOS罐（5）的凹槽，加热层（9）内均布有加热电阻丝（10）和用于检测加热层（9）内温度的温度传感器（4）。
2.如权利要求1所述的一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置，其特征在于，所述加热层（9）为由金属制作的环形型腔，所述加热电阻丝（10）沿所述环形型腔蛇形排布。
3.如权利要求1所述的一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置，其特征在于，所述保温层（8）内填充有保温棉。
4.如权利要求1所述的一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置，其特征在于，还包括用于设置在壳体顶端的盖板（7），盖板（7）上设有供设置在TEOS罐（5）上的排气管（6）穿过的通孔，所述盖板（7）通过螺钉（3）安装在壳体的顶端。
5.如权利要求1所述的一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置，其特征在于，还包括设置在壳体侧壁上的温控器（1），所述温度传感器（4）电性连接所述温控器（1），所述加热电阻丝（10）通过继电器（2）连接温控器（1）。
6.如权利要求5所述的一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置，其特征在于，所述温控器（1）为欧姆龙E5CC温控器。
7.如权利要求1所述的一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置，其特征在于，所述温度传感器（4）为Pt100热电阻。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于麦斯克电子材料股份有限公司，未经麦斯克电子材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121102080.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：核燃料组件远距离操作短柄工具
- 下一篇：一种降低碳九氢气单耗的系统
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
