[实用新型]一种半导体封装结构

说明书

本实用新型涉及一种半导体封装结构。根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装结构包括：第一裸片体，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一介电层，位于所述第一表面上；第一腔，位于所述第一介电层中；及第一凸块，位于所述第一表面上，所述第一凸块的侧壁的至少一部分暴露于所述第一腔。所述半导体封装结构对混合键合结构中的颗粒具有更高耐受性。

技术领域

本公开大体上涉及半导体封装领域，且更具体来说，涉及一种半导体封装结构。

背景技术

半导体工业正在向先进的铜混合键合工艺发展，铜混合键合工艺是在室温下芯片钝化层键合并且在高温退火期间发生铜连接的工艺。然而，当前的混合键合工艺需要进行严格的污染物(例如，颗粒)控制。当小颗粒污染物被困在混合键合层的蝶状铜焊盘上时，即使颗粒的尺寸仅为10nm，也会导致混合键合工艺中铜-铜互连的失败。

半导体封装工艺，例如切片工艺，是产生颗粒的一个主要来源。具体而言，尺寸大于1μm的颗粒会被标准清洁操作去除；然而，标准清洁操作不能去除尺寸小于1μm的颗粒，这些颗粒将会留在加工的晶圆上，贡献了大约80％的颗粒污染物。

实用新型内容

鉴于此，本公开提供了一种半导体封装结构，该半导体封装结构通过在凸块的至少一部分附近创造介电腔而对混合键合结构中的颗粒具有更高耐受性。

根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装结构包括：第一裸片体，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一介电层，位于所述第一表面上；第一腔，位于所述第一介电层中；及第一凸块，位于所述第一表面上，所述第一凸块的侧壁的至少一部分暴露于所述第一腔。

根据本实用新型的又一实施例，从俯视角度看所述第一腔完全围绕所述第一凸块的所述侧壁。

根据本实用新型的另一实施例，从俯视角度看所述第一腔具有圆形形状、方形形状或椭圆形形状。

根据本实用新型的另一实施例，所述第一凸块的所述侧壁与所述第一介电层之间的距离小于或等于1μm。

根据本实用新型的另一实施例，所述第一表面的一部分暴露于所述第一腔。

根据本实用新型的另一实施例，所述第一介电层包括氮化物、氧化物或聚合材料。

根据本实用新型的另一实施例，所述聚合材料包括苯并环丁烯、聚对苯撑苯并双噁唑或聚酰亚胺。

根据本实用新型的另一实施例，所述半导体封装结构还包括：第二裸片体，堆叠在所述第一裸片体的所述第一表面上方；第二介电层，位于所述第二裸片体的面对所述第一表面的相应表面上；第二腔，位于所述第二介电层中；及第二凸块，位于所述第二裸片体的所述相应表面上，所述第二凸块的侧壁的至少一部分暴露于所述第二腔。

根据本实用新型的另一实施例，所述第一裸片体与所述第二裸片体通过所述第一介电层、所述第二介电层、所述第一凸块和所述第二凸块彼此键合。

根据本实用新型的另一实施例，所述第一腔连接到所述第二腔。

根据本实用新型的另一实施例，所述半导体封装结构还包括：第二介电层，位于所述第一裸片体的所述第二表面上；第二腔，位于所述第二介电层中；及第二凸块，位于所述第二表面上，所述第二凸块的侧壁的至少一部分暴露于所述第二腔。

根据本实用新型的另一实施例，所述半导体封装结构还包括位于所述第一裸片体中的互连结构，所述互连结构电连接所述第一凸块和所述第二凸块。

根据本实用新型的另一实施例，所述第一表面是所述第一裸片体的有源表面，所述第二表面是所述第一裸片体的背表面。

本实用新型实施例的额外层面及优点将部分地在后续说明中描述、显示、或是经由本实用新型实施例的实施而阐释。

附图说明