[实用新型]一种半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 202121098349.5 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN215451383U 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 周卫 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L25/065
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王艳娇
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构包括:

第一裸片体,具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;

第一介电层,位于所述第一表面上;

第一腔,位于所述第一介电层中;及

第一凸块,位于所述第一表面上,所述第一凸块的侧壁的至少一部分暴露于所述第一腔。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于:

其中从俯视角度看所述第一腔完全围绕所述第一凸块的所述侧壁。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,其中从俯视角度看所述第一腔具有圆形形状、方形形状或椭圆形形状。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,其中所述第一凸块的所述侧壁与所述第一介电层之间的距离小于或等于1μm。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,其中所述第一表面的一部分暴露于所述第一腔。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,其中所述第一介电层的材料选自氮化物、氧化物或聚合材料。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,其中所述聚合材料选自苯并环丁烯、聚对苯撑苯并双噁唑或聚酰亚胺。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构还包括:

第二裸片体,堆叠在所述第一裸片体的所述第一表面上方;

第二介电层,位于所述第二裸片体的面对所述第一表面的相应表面上;

第二腔,位于所述第二介电层中;及

第二凸块,位于所述第二裸片体的所述相应表面上,所述第二凸块的侧壁的至少一部分暴露于所述第二腔。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构,其特征在于,其中所述第一裸片体与所述第二裸片体通过所述第一介电层、所述第二介电层、所述第一凸块和所述第二凸块彼此键合。

10.根据权利要求8所述的半导体封装结构,其特征在于,其中所述第一腔连接到所述第二腔。

11.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构还包括:

第二介电层,位于所述第一裸片体的所述第二表面上;

第二腔,位于所述第二介电层中;及

第二凸块,位于所述第二表面上,所述第二凸块的侧壁的至少一部分暴露于所述第二腔。

12.根据权利要求11所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构还包括位于所述第一裸片体中的互连结构,所述互连结构电连接所述第一凸块和所述第二凸块。

13.根据权利要求11所述的半导体封装结构,其特征在于,其中所述第一表面是所述第一裸片体的有源表面,所述第二表面是所述第一裸片体的背表面。

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