[实用新型]一种控制晶圆弯曲度的设备

说明书

本实用新型实施例提供的一种控制晶圆弯曲度的设备，包括：至少两个反应腔体，每个反应腔体内均设置有承载装置，承载装置用于承载晶圆；供气装置，供气装置用于向每个反应腔体内供给反应气体；每个反应腔体和供气装置之间均设置有控制装置，每一个控制装置分别用于控制供气装置向对应的反应腔体中供给反应气体，以控制晶圆的弯曲度。这样，由于每一个反应腔体具有与之唯一对应的控制装置，每一个控制装置能够单独控制供气装置向各自对应的反应腔体内供给反应气体，避免产能的浪费，而且能够精确控制在反应腔体内的晶圆上形成的薄膜的厚度，进而精确控制晶圆的弯曲度，降低整批晶圆的弯曲度差异。

本申请为2020年09月24日提交中国国家知识产权局的申请号为202022129472.0的实用新型专利申请的分案申请。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件，特别涉及一种控制晶圆弯曲度的设备。

背景技术

在化学气相沉积工艺中，晶圆的弯曲度(bow)值过大会导致沉积过程中等离子体的容抗阻抗发生异常，容易发生电弧放电(Arcing)，严重影响机台硬件维护和产品良率提升。

在现有的量产过程中，调节晶圆弯曲度的方法主要是分组沉积(group dep)，先对不同弯曲度值的晶圆进行分组，而后以组为单位进入机台，进行一同沉积。

但是，分组的方式通常是每6μm为一个批次，而后将同一批次的晶圆分为多组进行沉积，将每片晶圆置于一单独的反应腔内，而每一组晶圆的数量可能少于反应腔的数量，并不一定每个反应腔都放置有晶圆，导致某些反应腔空置，造成产能的损失，同时由于每片晶圆的弯曲度值不同，一同沉积的方式并不能精确调整每一片晶圆的弯曲度值，导致整批晶圆的弯曲度差异较大。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种控制晶圆弯曲度的设备，精确调整晶圆的弯曲度值，同时避免产能的浪费。

为实现上述目的，本实用新型有如下技术方案：

一种控制晶圆弯曲度的设备，包括：

至少两个反应腔体，每个所述反应腔体内均设置有承载装置，所述承载装置用于承载晶圆；

供气装置，所述供气装置用于向每个所述反应腔体内供给反应气体；

每个所述反应腔体和所述供气装置之间均设置有控制装置，每个所述控制装置分别用于控制所述供气装置向对应的所述反应腔体中供给反应气体，以控制所述晶圆的弯曲度。

可选的，所述控制装置具体用于控制所述供气装置向对应的所述反应腔体中供给反应气体的流量和/或时间。

可选的，所述反应腔体的数量为四个，所述控制装置的数量为四个。

可选的，所述控制装置具体用于控制所述供气装置向对应的所述反应腔体中供给反应气体，以控制在所述晶圆凸起的一侧沉积预设厚度的氮化硅薄膜。

可选的，所述控制装置具体用于控制所述供气装置向对应的所述反应腔体中供给反应气体，以控制在所述晶圆凹陷的一侧沉积预设厚度的氧化硅薄膜。

可选的，所述预设厚度是根据所述晶圆的弯曲度前值确定的。

可选的，所述设备用于3D-NAND存储器所在晶圆的弯曲度的控制。

可选的，所述控制装置为安装于所述供气装置的供气管道上的流量阀。

可选的，所述支撑装置中设置有加热装置，所述加热装置用于对所述晶圆进行加热。

可选的，每个所述控制装置分别连接至中央处理器，所述中央处理器分别获取每个反应腔体内是否放置有晶圆以及晶圆的弯曲度前值，并向对应的所述控制装置发送控制信息，以便每个所述控制装置分别控制所述供气装置向对应的所述反应腔体中供给反应气体。