[实用新型]一种控制晶圆弯曲度的设备有效
| 申请号： | 202121094104.5 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN214624989U | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 涂文骏;陈松超;董洪旺;楚明;张高升 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨丽爽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 控制 弯曲 设备 | ||
1.一种控制晶圆弯曲度的设备，其特征在于，包括：
至少两个反应腔体，每个所述反应腔体内均设置有承载装置，所述承载装置用于承载晶圆；
供气装置，所述供气装置用于向所述反应腔体内供给反应气体；
每个所述反应腔体和所述供气装置之间均设置有控制装置；
中央处理器，用于根据所述晶圆的弯曲度前值控制所述控制装置向所述反应腔体中供给反应气体。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述中央处理器分别获取每个反应腔体内是否放置有晶圆以及所述晶圆的弯曲度前值的信息，并根据所述信息控制对应的所述控制装置。
3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述中央处理器具体用于根据所述晶圆的弯曲度前值控制所述供气装置向对应的所述反应腔体中供给反应气体，以控制在所述晶圆的一侧沉积预设厚度的薄膜，所述预设厚度是根据所述晶圆的弯曲度前值确定的。
4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述中央处理器具体用于根据所述预设厚度控制所述供气装置向对应的所述反应腔体中供给反应气体的流量和/或时间。
5.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述中央处理器具体用于控制在所述晶圆凸起的一侧沉积所述预设厚度的氮化硅薄膜。
6.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述中央处理器具体用于控制在所述晶圆凹陷的一侧沉积所述预设厚度的氧化硅薄膜。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的设备，其特征在于，所述设备用于3D-NAND存储器所在晶圆的弯曲度的控制。
8.根据权利要求1-6任意一项所述的设备，其特征在于，所述控制装置为安装于所述供气装置的供气管道上的流量阀。
9.根据权利要求1-6任意一项所述的设备，其特征在于，所述承载装置中设置有加热装置，所述加热装置用于对所述晶圆进行加热。
10.根据权利要求1-6任意一项所述的设备，其特征在于，所述反应腔体的数量为四个，所述控制装置的数量为四个。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121094104.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于网络接入设备的喇叭电源线
- 下一篇：一种具有警报功能的信息转发器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
