[实用新型]一种芯片吸嘴及芯片封装设备

说明书

本实用新型公开了一种芯片吸嘴，包括：吸嘴管以及设于吸嘴管上的吸嘴部，吸嘴管内设有第一气道；吸嘴部内设有与第一气道相连通的第二气道，吸嘴部的顶面形成吸附面，吸附面上设有三个呈角锥状的卡边，三个卡边围成用于吸附芯片的吸附腔，吸附面上设有气孔，气孔连通吸附腔和第二气道。本实用新型还公开了一种芯片封装设备，包括设备主体及芯片吸嘴，设备主体与芯片吸嘴连接。本实用新型能有效解决现有技术中芯片上片操作过程时吸嘴接触到管壳内壁，无法满足上片需求的问题，并适用于多种尺寸的芯片，具有较强的灵活性。

技术领域

本实用新型涉及芯片技术领域，尤其涉及一种芯片吸嘴及芯片封装设备。

背景技术

在氮化镓高电子迁移率晶体管射频功率放大器芯片，硅基高压功率集成射频放大器芯片，以及普通的硅芯片在封装上片固晶工艺中，都要使用到吸嘴，吸取放置芯片。目前，在吸嘴的实际使用过程中还存在以下问题：第一，由于氮化镓高电子迁移率晶体管射频功率放大器芯片，硅基高压功率集成射频放大器芯片的特殊设计，芯片表面有空气桥等敏感设计，触碰芯片表面就会影响芯片性能。第二，对于该部分产品，由于上片位置的特殊要求，上片位置贴近管壳边缘，吸嘴边缘就会触碰管壳内壁，无法满足上片需求。第三，芯片外观尺寸因切割原因，无法保证外观尺寸完全一致，这样就会导致部分芯片因尺寸偏大或偏小，无法被正常吸取。因此，现有技术的吸嘴结构不便于执行上片操作，且可能损坏芯片。

发明内容

本实用新型实施例的目的是提供一种芯片吸嘴及芯片封装设备，实现了吸取芯片且不触碰到芯片表面，能有效解决现有技术在上片操作过程中接触到管壳内壁，无法满足上片需求的问题，并适用于多种尺寸的芯片，具有较强的灵活性。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供了一种芯片吸嘴，包括：吸嘴管以及设于所述吸嘴管上的吸嘴部，所述吸嘴管的内部设置有第一气道，所述吸嘴部的内部设有连通所述第一气道的第二气道，所述吸嘴部的顶部形成吸附面，所述吸附面上设有三个呈角锥状的卡边，三个所述卡边围成用于吸附芯片的吸附腔，所述吸附面上设有气孔，所述气孔连通所述吸附腔和所述第二气道。

作为上述方案的改进，三个所述卡边相互独立，相邻两个所述卡边之间形成间隙。

作为上述方案的改进，三个所述卡边相互连接形成一体式结构，相邻的两个所述卡边之间设有凹槽，所述凹槽的底部置于所述吸附面上。

作为上述方案的改进，所述凹槽呈圆弧形设置。

作为上述方案的改进，所述吸嘴部还包括限位部，所述限位部设于所述吸嘴部未设所述卡边的一侧底部并同时与所述吸嘴部和所述吸嘴管相连接。

作为上述方案的改进，所述卡边的斜边相对于所述吸附面倾斜设置，所述斜边与所述吸附面的夹角为120°、135°或150°。

作为上述方案的改进，所述第一气道包括第一吸嘴管气道、第二吸嘴管气道以及连接二者的过渡部，所述第二吸嘴管气道与所述第二气道相连通。

作为上述方案的改进，所述第一吸嘴管气道与所述第二吸嘴管气道为同轴设置，且所述第一吸嘴管气道的直径大于所述第二吸嘴管气道的直径。

本实用新型实施例还提供了一种芯片封装设备，包括设备主体及上述的芯片吸嘴，所述设备主体与所述芯片吸嘴连接。

作为上述方案的改进，所述设备主体设有抽气管，所述抽气管与所述芯片吸嘴中的第一气道连通。