[实用新型]一种双收双发无线射频电路及无线基站有效
申请号: | 202121018937.3 | 申请日: | 2021-05-13 |
公开(公告)号: | CN215222190U | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 王良 | 申请(专利权)人: | 世强先进(深圳)科技股份有限公司 |
主分类号: | H04B1/401 | 分类号: | H04B1/401;H04W88/08 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人: | 郭方伟 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道雪岗路*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双收双发 无线 射频 电路 基站 | ||
1.一种双收双发无线射频电路,其特征在于,包括第一环行器(101)、第一天线(102)、第一射频选择开关(103)、第一吸收负载(104)、第二环行器(201)、第二天线(202)、第二射频选择开关(203)、第二吸收负载(204)、控制器(30)和无线收发芯片(40);
所述无线收发芯片(40)的第一发射端口连接所述第一环行器(101)的端口1,所述第一环行器(101)的端口2连接所述第一天线(102),所述第一环行器(101)的端口3连接所述第一射频选择开关(103)的RFC端口,所述第一射频选择开关(103)的RF1端口连接所述无线收发芯片(40)的第一接收端口,所述第一射频选择开关(103)的RF2端口连接所述第一吸收负载(104);
所述无线收发芯片(40)的第二发射端口连接所述第二环行器(201)的端口1,所述第二环行器(201)的端口2连接所述第二天线(202),所述第二环行器(201)的端口3连接所述第二射频选择开关(203)的RFC端口,所述第二射频选择开关(203)的RF1端口连接所述无线收发芯片(40)的第二接收端口,所述第二射频选择开关(203)的RF2端口连接所述第二吸收负载(204);
所述控制器(30)分别连接所述第一射频选择开关(103)和所述第二射频选择开关(203),并控制所述第一射频选择开关(103)和所述第二射频选择开关(203)的接通端口。
2.根据权利要求1所述的双收双发无线射频电路,其特征在于,还包括第一功率放大器PA1,所述无线收发芯片(40)的第一发射端口连接所述第一功率放大器PA1的输入端,所述第一功率放大器PA1的输出端连接所述第一环行器(101)的端口1。
3.根据权利要求1所述的双收双发无线射频电路,其特征在于,还包括第二功率放大器PA2,所述无线收发芯片(40)的第二发射端口连接所述第二功率放大器PA2的输入端,所述第二功率放大器PA2的输出端连接所述第二环行器(201)的端口1。
4.根据权利要求1所述的双收双发无线射频电路,其特征在于,还包括第一低噪声放大器LNA1,所述第一射频选择开关(103)的RF1端口连接所述第一低噪声放大器LNA1的输入端,所述第一低噪声放大器LNA1的输出端连接所述无线收发芯片(40)的第一输入端口。
5.根据权利要求4所述的双收双发无线射频电路,其特征在于,还包括第二低噪声放大器LNA2,所述第二射频选择开关(203)的RF1端口连接所述第二低噪声放大器LNA2的输入端,所述第二低噪声放大器LNA2的输出端连接所述无线收发芯片(40)的第二输入端口。
6.根据权利要求5所述的双收双发无线射频电路,其特征在于,所述第一射频选择开关(103)、所述第二射频选择开关(203)、所述第一低噪声放大器LNA1和所述第二低噪声放大器LNA2集成封装为一个芯片。
7.根据权利要求1所述的双收双发无线射频电路,其特征在于,所述无线收发芯片(40)为3G无线收发芯片(40)或4G无线收发芯片(40)或5G无线收发芯片(40)。
8.一种无线基站,其特征在于,所述无线基站包括如权利要求1至7任一项所述的双收双发无线射频电路。
9.根据权利要求8所述的无线基站,其特征在于,所述无线基站为3G无线基站或4G无线基站或5G无线基站。
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