[实用新型]超结功率MOSFET有效
| 申请号： | 202120976676.X | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN215731731U | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 雷秀芳;姜春亮;赵浩宇;李伟聪;林泳浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet | ||
1.一种超结功率MOSFET，其特征在于，在所述MOSFET的截面上，所述MOSFET包括：
半导体衬底，所述半导体衬底具有相对设置的第一主表面和第二主表面；
设于所述第一主表面上的漏极；
设于所述第二主表面上第一导电类型区，所述第一导电类型区包括n个第二导电类型区和n个沟槽，n为正整数，所述第二导电类型区沿水平方向间隔设置，所述第二导电类型区之间的第一导电类型区与所述第二导电类型区形成超结结构，所述沟槽对应设于所述第二导电类型区上，所述沟槽底部与所述第二导电类型区相接触；
沿所述沟槽及沟槽之间的平面设有栅极氧化层，所述平面与所述沟槽开口处于同一水平面上，所述沟槽内填充有沟槽栅极，所述平面上的栅极氧化层上设有平面栅极；
所述沟槽栅极上设有源极。
2.根据权利要求1所述的超结功率MOSFET，其特征在于，所述第二导电类型区由沿竖直方向相连设置的多个子第二导电类型区构成。
3.根据权利要求1所述的超结功率MOSFET，其特征在于，所述沟槽为U型槽。
4.根据权利要求1所述的超结功率MOSFET，其特征在于，所述平面上的栅极氧化层上覆盖所述平面栅极设有钝化层；所述钝化层上设有源极，所述源极通过接触孔与所述沟槽栅极连接。
5.根据权利要求1所述的超结功率MOSFET，其特征在于，所述第一导电类型区设有2n个第二导电类型的体区，所述第二导电类型的体区设于所述沟槽两侧与所栅极氧化层连接。
6.根据权利要求5所述的超结功率MOSFET，其特征在于，所述第一导电类型区设有2n个第一导电类型的源区，所述第一导电类型的源区设于所述沟槽两侧，填充于所述第二导电类型的体区与所栅极氧化层围成的区域。
7.根据权利要求1所述的超结功率MOSFET，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者，
所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
8.根据权利要求1所述的超结功率MOSFET，其特征在于，所述漏极为金属电极；和/或，
所述源极为铝电极或铜电极；和/或，
所述沟槽栅极和平面栅极均为多晶硅栅极。
9.根据权利要求1所述的超结功率MOSFET，其特征在于，所述第一导电类型区为磷掺杂第一导电类型区；和/或，
所述第二导电类型区为注入有硼的磷掺杂第一导电类型区；和/或，
所述栅极氧化层为二氧化硅层。
10.根据权利要求4所述的超结功率MOSFET，其特征在于，所述钝化层为硼磷硅玻璃和二氧化硅混合材料层。
11.根据权利要求6所述的超结功率MOSFET，其特征在于，所述第二导电类型的体区为注入有硼的磷掺杂第一导电类型区；和/或，
所述第一导电类型的源区为注入有砷和/或磷的磷掺杂第一导电类型区。
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