[实用新型]硅片负压顶升装置及硅片检测分选设备有效
申请号: | 202120969842.3 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN214705892U | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 曹葵康;孙靖;钱春辉;顾烨;孙俊;苏傲;胡辉来;程璧;张体瑞;温延培 | 申请(专利权)人: | 苏州天准科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683;H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 马振华 |
地址: | 215163 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 压顶 装置 检测 分选 设备 | ||
本实用新型提供一种硅片负压顶升装置及硅片检测分选设备,其中,硅片负压顶升装置包括:负压吸附机构以及顶升机构;负压吸附机构包括:吸盘以及负压发生组件,吸盘的工作面上开设有吸孔和/或吸槽,负压发生组件与吸盘相连接,并能够在吸孔和/或吸槽处产生负压;顶升机构设置于负压吸附机构下方,其包括:驱动单元以及顶升组件,驱动单元与顶升组件传动连接,顶升组件与负压吸附机构传动连接,并能够带动负压吸附机构进行升降运动。本实用新型通过设置负压吸附机构,使得硅片在顶升过程中,能够与传送带保持贴合,进而保证了后续硅片在输送至收纳盒的过程中,不会与输送流线分离,克服了现有技术中硅片之间容易发生碰撞的问题。
技术领域
本实用新型涉及硅片检测分选技术领域,尤其涉及一种硅片负压顶升装置及硅片检测分选设备。
背景技术
硅片作为重要的工业原材料,被广泛用于太阳能电池、电路板等产品的生产制造中。因此,在硅片生产出厂之前需要对其质量进行严格的把控,以保证由硅片制造的太阳能电池、电路板等产品的质量。
目前,在硅片的检测分选过程中,涉及到需要将分选的硅片分流到相应的收纳盒中。现有技术中,需要将流线上的硅片顶起,然后改变其输送方向,使其流入到对应的收纳盒中。然而,上述方式存在的问题是,由于工业生产中的输送时间是较为精确和连续的,而将硅片顶起时可能导致硅片与输送流线分离,此时在短时间内硅片处于悬空状态,而输送流线持续工作,硅片下落时可能存在与后方输送而来的硅片发生碰撞的问题。因此,针对上述问题,有必要提出进一步地解决方案。
实用新型内容
本实用新型旨在提供一种硅片负压顶升装置及硅片检测分选设备,以克服现有技术中存在的不足。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:
一种硅片负压顶升装置,其包括:负压吸附机构以及顶升机构;
所述负压吸附机构包括:吸盘以及负压发生组件,所述吸盘的工作面上开设有吸孔和/或吸槽,所述负压发生组件与所述吸盘相连接,并能够在所述吸孔和/或吸槽处产生负压;
所述顶升机构设置于所述负压吸附机构下方,其包括:驱动单元以及顶升组件,所述驱动单元与所述顶升组件传动连接,所述顶升组件与所述负压吸附机构传动连接,并能够带动所述负压吸附机构进行升降运动。
作为本实用新型的硅片负压顶升装置的改进,所述负压发生组件包括负压发生腔,其安装于所述吸盘的下方,所述吸孔和/或吸槽与所述负压发生腔相连通。
作为本实用新型的硅片负压顶升装置的改进,所述负压吸附机构还包括底座,所述负压吸附机构安装于所述底座上,所述顶升组件与所述底座的底部传动连接。
作为本实用新型的硅片负压顶升装置的改进,所述硅片负压顶升装置还包括导向机构,所述导向机构包括两根导向柱,两根导向柱分布于所述顶升机构的两侧,且所述底座通过导向套沿两侧的导向柱进行升降运动。
作为本实用新型的硅片负压顶升装置的改进,所述驱动单元为一水平设置的电机。
作为本实用新型的硅片负压顶升装置的改进,所述顶升组件包括:连杆以及偏心轮,所述驱动单元的输出端与所述偏心轮相连接,所述连杆一端与所述偏心轮相连接,另一端与所述负压吸附机构相连接。
作为本实用新型的硅片负压顶升装置的改进,所述硅片负压顶升装置还包括输送机构,所述输送机构包括输送带,所述输送带与所述工作面共面或者略高于所述工作面。
作为本实用新型的硅片负压顶升装置的改进,所述输送带分布于所述吸盘的两侧。
作为本实用新型的硅片负压顶升装置的改进,所述硅片负压顶升装置还包括旋转电机,所述旋转电机安装于所述负压吸附机构的底座中,并带动所述输送带进行运动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造