[实用新型]硅片负压顶升装置及硅片检测分选设备有效
| 申请号: | 202120969842.3 | 申请日: | 2021-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN214705892U | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
| 发明(设计)人: | 曹葵康;孙靖;钱春辉;顾烨;孙俊;苏傲;胡辉来;程璧;张体瑞;温延培 | 申请(专利权)人: | 苏州天准科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683;H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 马振华 |
| 地址: | 215163 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅片 压顶 装置 检测 分选 设备 | ||
1.一种硅片负压顶升装置,其特征在于,所述硅片负压顶升装置包括:负压吸附机构以及顶升机构;
所述负压吸附机构包括:吸盘以及负压发生组件,所述吸盘的工作面上开设有吸孔和/或吸槽,所述负压发生组件与所述吸盘相连接,并能够在所述吸孔和/或吸槽处产生负压;
所述顶升机构设置于所述负压吸附机构下方,其包括:驱动单元以及顶升组件,所述驱动单元与所述顶升组件传动连接,所述顶升组件与所述负压吸附机构传动连接,并能够带动所述负压吸附机构进行升降运动。
2.根据权利要求1所述的硅片负压顶升装置,其特征在于,所述负压发生组件包括负压发生腔,其安装于所述吸盘的下方,所述吸孔和/或吸槽与所述负压发生腔相连通。
3.根据权利要求1所述的硅片负压顶升装置,其特征在于,所述负压吸附机构还包括底座,所述负压吸附机构安装于所述底座上,所述顶升组件与所述底座的底部传动连接。
4.根据权利要求3所述的硅片负压顶升装置,其特征在于,所述硅片负压顶升装置还包括导向机构,所述导向机构包括两根导向柱,两根导向柱分布于所述顶升机构的两侧,且所述底座通过导向套沿两侧的导向柱进行升降运动。
5.根据权利要求1所述的硅片负压顶升装置,其特征在于,所述驱动单元为一水平设置的电机,所述顶升组件包括:连杆以及偏心轮,所述驱动单元的输出端与所述偏心轮相连接,所述连杆一端与所述偏心轮相连接,另一端与所述负压吸附机构相连接。
6.根据权利要求1所述的硅片负压顶升装置,其特征在于,所述硅片负压顶升装置还包括输送机构,所述输送机构包括输送带,所述输送带与所述工作面共面或者略高于所述工作面。
7.根据权利要求6所述的硅片负压顶升装置,其特征在于,所述输送带分布于所述吸盘的两侧。
8.根据权利要求6或7所述的硅片负压顶升装置,其特征在于,所述硅片负压顶升装置还包括旋转电机,所述旋转电机安装于所述负压吸附机构的底座中,并带动所述输送带进行运动。
9.根据权利要求8所述的硅片负压顶升装置,其特征在于,所述输送机构还包括:主动轮和多个从动轮,所述主动轮套设于所述旋转电机的输出轴上,其两侧分布有所述从动轮,所述输送带依次绕过所述主动轮和多个从动轮,并由多个从动轮张紧。
10.一种硅片检测分选设备,其特征在于,所述硅片检测分选设备包括如权利要求1至9任一项所述的硅片负压顶升装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州天准科技股份有限公司,未经苏州天准科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120969842.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种无缝钢管高效冷拔设备
- 下一篇:一种耳机接口防水结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





