[实用新型]一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置和干法刻蚀设备有效
申请号: | 202120863501.8 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN215451338U | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 蒋定溪;林科闯;张广劲;张文磊;刘根亮 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 连耀忠;林燕玲 |
地址: | 361000 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 机台 定位 装置 设备 | ||
一种干法蚀刻机台的晶圆定位装置和干法刻蚀设备,包括盖体和压盘;该盖体通过若干连接件连接压盘,该压盘中部设有通孔以压于晶圆表面边缘,其特征在于:该连接件与压盘之间还套设有偏心环。本实用新型通过偏心环来限制压盘动作时的不良性大幅晃动,能有效避免压盘偏移造成的蚀刻均匀性不佳,甚至引发破片等风险。
技术领域
本实用新型涉及刻蚀设备领域,特别是一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置和干法刻蚀设备。
背景技术
干法刻蚀是用等离子体化学活性较强的性质进行薄膜刻蚀的技术,当气体以等离子体形式存在时,它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多,根据被刻蚀材料的不同,选择合适的气体,就可以更快地与材料进行反应,实现刻蚀去除的目的;另一方面,还可以利用电场对等离子体进行引导和加速,使其具备一定能量,当其轰击被刻蚀物的表面时,会将被刻蚀物材料的原子击出,从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
然而,现有的干法蚀刻机台中,通过压盘下压固定晶圆,而压盘(clamp)通过螺栓连接,螺栓与压盘之间具有间隙,使得压盘具有一定的活动空间。在制程作业时,压盘下压过程中,会发生晃动,造成下压位置不固定,会在一定范围内发生偏移,使其在制程晶圆上的压痕不一致,从而导致制程所得的蚀刻均匀性不佳,甚至在大幅度偏移时会引发破片等风险。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于克服现有的制程作业时,压盘位置可能发生偏移,导致蚀刻均匀性不佳,甚至引发破片等风险的缺陷,提出一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置和干法刻蚀设备。
本实用新型采用如下技术方案:
一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置,包括盖体和压盘;该盖体通过若干连接件连接压盘,该压盘中部设有通孔,通孔内设有台阶以压于晶圆表面边缘,其特征在于:该连接件与压盘之间还套设有偏心环。
优选的,所述通孔内壁设有台阶,该台阶压于所述晶圆表面边缘。
优选的,所述若干连接件为间隔设置且绕所述通孔中心呈圆周分布。
优选的,所述偏心环的最小宽度处朝向所述通孔中心,且位于所述通孔的径向延长线上。
优选的,所述偏心环的最小宽度为0.74mm-0.86mm。
优选的,所述偏心环的最大宽度为1.15mm-1.25mm。
优选的,所述偏心环的厚度为3.4mm-3.6mm。
优选的,所述偏心环为采用聚四氟乙烯制作的偏心环。
优选的,所述压盘对应设有若干安装孔,所述若干连接件穿设于对应的安装孔;包括有若干所述偏心环,分别套设于连接件和对应的安装孔之间。
一种干法刻蚀设备,包括机台,还包括上述的一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置。
由上述对本实用新型的描述可知,与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:
1、本实用新型的装置和设备,在连接件与压盘之间套设有偏心环来限制压盘动作时的不良性大幅晃动,能有效避免压盘偏移造成的蚀刻均匀性不佳,甚至引发破片等风险。
2、本实用新型的装置和设备,连接件为间隔设置且绕通孔中心呈圆周分布,且将偏心环最小宽度处朝向通孔中心,且位于通孔的径向延长线上,则当压盘受不可抗力时,会主动往通孔中心方向靠,避免损坏零件。
3、本实用新型的装置和设备,偏心环采用聚四氟乙烯等材质制作,该材料具备化学稳定性、耐腐蚀性、密封性、高润滑不粘性、电绝缘性、耐高温同时抗老化耐力极佳,还具有一定弹性,能起到缓冲作用。
4、采用本实用新型的装置和设备进行干法刻蚀,降低破片率,提升蚀刻的均匀性。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造