[实用新型]一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置和干法刻蚀设备有效
| 申请号： | 202120863501.8 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN215451338U | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 蒋定溪;林科闯;张广劲;张文磊;刘根亮 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠;林燕玲 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 机台 定位 装置 设备 | ||
1.一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置，包括盖体和压盘；该盖体通过若干连接件连接压盘，该压盘中部设有通孔，通孔内设有台阶以压于晶圆表面边缘，其特征在于：该连接件与压盘之间还套设有偏心环。
2.如权利要求1所述的一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置，其特征在于：所述若干连接件为间隔设置且绕所述通孔中心呈圆周分布。
3.如权利要求1所述的一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置，其特征在于：所述偏心环的最小宽度处朝向所述通孔中心，且位于所述通孔的径向延长线上。
4.如权利要求1所述的一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置，其特征在于：所述偏心环的最小宽度为0.74mm-0.86mm。
5.如权利要求1所述的一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置，其特征在于：所述偏心环的最大宽度为1.15mm-1.25mm。
6.如权利要求1所述的一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置，其特征在于：所述偏心环的厚度为3.4mm-3.6mm。
7.如权利要求1所述的一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置，其特征在于：所述偏心环为采用聚四氟乙烯制作的偏心环。
8.如权利要求1所述的一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置，其特征在于：所述压盘对应设有若干安装孔，所述若干连接件穿设于对应的安装孔；包括有若干所述偏心环，分别套设于连接件和对应的安装孔之间。
9.一种干法刻蚀设备，包括机台，其特征在于：还包括权利要求1至8中任一所述的一种干法刻蚀机台的晶圆定位装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
