[实用新型]一种红外传感器WLP封装器件

说明书

本实用新型涉及一种红外传感器WLP封装器件，包括下晶圆、在下晶圆端面形成的若干芯片、盖设在下晶圆上方的上晶圆、以及形成于下晶圆与上晶圆之间的若干支撑凸点；若干所述芯片对应的下晶圆与上晶圆之间均通过焊料固定封焊，内部结合支撑凸点的支撑作用形成固定的真空间隙；本实用新型主要应用于红外传感器，通过支撑凸点使上晶圆与下晶圆之间存在一个固定的间隙，在真空环境下封焊过程中起到支撑作用，避免传统设备控制存在误差及高度均匀性的问题，有效提高产品良率，制备方便快捷，节省成本。

技术领域

本实用新型涉及红外传感器晶圆级封装技术领域，特别涉及一种红外传感器WLP封装器件。

背景技术

红外传感器芯片需要在高真空环境下工作，因此对封焊的气密性要求很高，如果焊料达不到合适的厚度会导致气密性差甚至漏气，还有可能会溢锡导致良率降低，进而影响芯片性能；现有技术使用设备控制焊料高度，设备控制存在误差及高度均匀性问题，良率较低，并且增加控制模块会导致设备成本增加；因此本实用新型研制了一种红外传感器WLP封装器件，以解决现有技术中存在的问题，经检索，未发现与本实用新型相同或相似的技术方案。

实用新型内容

本实用新型目的是：提供一种红外传感器WLP封装器件，以解决现有技术中晶圆级封装时焊料厚度控制不当，而易引起芯片性能下降的问题。

本实用新型的技术方案是：一种红外传感器WLP封装器件，包括下晶圆、在下晶圆端面形成的若干芯片、盖设在下晶圆上方的上晶圆、以及形成于下晶圆与上晶圆之间的若干支撑凸点；若干所述芯片对应的下晶圆与上晶圆之间均通过焊料固定封焊，内部结合支撑凸点的支撑作用形成固定的真空间隙。

优选的，所述支撑凸点通过在芯片上植球形成，每个所述芯片上均设置有供植球的PAD区域。

优选的，植球形成的所述支撑凸点选用金球、锡球、铜球或其任意组合形成的合金中的一种，所述支撑凸点的熔点高于焊料的熔点。

优选的，所述支撑凸点通过蚀刻上晶圆下端面形成，与其对应的芯片上设置有供支撑凸点相抵的支撑区域。

优选的，所述支撑凸点通过单独在上晶圆下端面、或单独在下晶圆上端面、或共同在上晶圆下端面及下晶圆上端面上长出金属层形成，所述支撑凸点处在上晶圆上时，所述下晶圆对应的芯片上设置有供支撑凸点相抵的支撑区域。

优选的，所述焊料呈环形带状结构或若干点状围成的环形结构，并设置在下晶圆上端面或上晶圆下端面上，与所述焊料相对的下晶圆上端面及上晶圆下端面上均设置有镀金层。

优选的，所述焊料的厚度大于支撑凸点的高度。

优选的，所述支撑凸点与芯片相抵或连接的位置处在焊料内侧区域、或焊料外侧区域、或与焊料相对的镀金层上。

优选的，所述上晶圆下端面设置有吸气剂。

与现有技术相比，本实用新型的优点是：

(1)本实用新型主要应用于红外传感器，通过支撑凸点使上晶圆与下晶圆之间存在一个固定的间隙，在真空环境下封焊过程中起到支撑作用，避免传统设备控制存在误差及高度均匀性的问题，有效提高产品良率，制备方便快捷，节省成本。

(2)支撑凸点可通过在部分芯片上植球形成，也可通过蚀刻上晶圆下端面形成，还可通过单独在上晶圆下端面、或单独在下晶圆上端面、或共同在上晶圆下端面及下晶圆上端面上长出金属层形成；由于焊料需在高温下热熔连接上晶圆与下晶圆，过程中支撑凸点需始终起到支撑作用，因此植球形成的支撑凸点熔点必须高于焊料的熔点。

(3)上晶圆下端面上设置有吸气剂，有效保证封焊过程中，芯片内部的真空度，进一步提高产品性能。

附图说明

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：