[实用新型]一种硅基真实RGB显示器件

说明书

本实用新型公开了一种硅基真实RGB显示器件，所述硅基真实RGB显示器件的ITO阳极、空穴阻挡层之间设置混合结构层；所述混合结构层包括红光光学补偿层、空穴注入层、空穴传输层、共用蓝光发光层、红光发光层和绿光发光层；其中，所述红光光学补偿层设置在ITO阳极之上，但所述ITO阳极的上表面并未被所述红光光学补偿层完全覆盖；所述共用蓝光发光层设在所述空穴阻挡层之下、或所述共用蓝光发光层设在所述空穴传输层之上；本实用新型的技术方案改善了硅基真实RGB显示器件色域，色域值可提升到110％以上；无需设置电荷产生层(CGL)，有利于降低硅基中的串扰问题，在制备时仅使用了2张FMM，解决了硅基真实RGB高PPI的迫切需求。

技术领域

本实用新型属于RGB显示装置技术领域，具体涉及一种硅基真实RGB显示器件。

背景技术

与传统的AMOLED显示技术相比，硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。

现有的高ppi硅基OLED全彩产品大多数采用WOLED(白光OLED)+CF (彩色滤光片)技术，采用的器件结构一般为二叠层器件结构，该结构由下至上依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电荷产生层、绿光发光层、红光发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、封盖层，如图3所示。采用该方案存在效率低和寿命短的弊端，尤其是经过CF以后产品至少损失三分之二的效率，在高亮产品中该弊端更严重。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种硅基真实RGB显示器件，可解决现有硅基真实RGB显示器件性能较低、寿命较短的问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案如下：

一种硅基真实RGB显示器件，所述硅基真实RGB显示器件的ITO阳极、空穴阻挡层之间设置混合结构层；

所述混合结构层包括红光光学补偿层、空穴注入层、空穴传输层、共用蓝光发光层、红光发光层和绿光发光层；

其中，所述红光光学补偿层设置在ITO阳极之上，但所述ITO阳极的上表面并未被所述红光光学补偿层完全覆盖；

所述共用蓝光发光层设在所述空穴阻挡层之下、或所述共用蓝光发光层设在所述空穴传输层之上。

所述红光光学补偿层相对于所述红光发光层等宽对应设置；所述红光发光层和绿光发光层相邻平行设置。

所述空穴注入层设置在所述红光光学补偿层及未被红光光学补偿覆盖的 ITO阳极之上；所述空穴传输层设置在所述空穴注入层之上。

所述红光光学补偿层的材料与ITO阳极相同。

阳极中的ITO，在不同的RGB像素下设计不同的ITO厚度，G和B像素下采用ITO阳极的厚度，两像素ITO的厚度一致。

在本实用新型的一个技术方案中，所述共用蓝光发光层设置在所述空穴传输层之上；所述红光发光层和所述绿光发光层设置在所述共用蓝光发光层之上，但是所述共用蓝光发光层的上表面并未被所述红光发光层和所述绿光发光层完全覆盖；所述空穴阻挡层设置在所述红光发光层、所述绿光发光层和未被所述红光发光层和所述绿光发光层覆盖的共用蓝光发光层之上。

所述共用蓝光发光层采用偏空穴的蓝光主体材料；所述共用蓝光发光层的 LUMO能级高于所述红光发光层和所述绿光发光层的LUMO能级，可以有效阻挡电子传输，将电子限制在发光层中，从而实现其R和G像素单独发光。

所述共用蓝光发光层的厚度为20nm～40nm，优选为25nm～35nm；所述红光光学补偿层的厚度为65nm～85nm；