[实用新型]一种硅基真实RGB显示器件

权利要求书

1.一种硅基真实RGB显示器件，其特征在于，所述硅基真实RGB显示器件的ITO阳极、空穴阻挡层之间设置混合结构层；

所述混合结构层包括红光光学补偿层、空穴注入层、空穴传输层、共用蓝光发光层、红光发光层和绿光发光层；

其中，所述红光光学补偿层设置在ITO阳极之上，但所述ITO阳极的上表面并未被所述红光光学补偿层完全覆盖；

所述共用蓝光发光层设在所述空穴阻挡层之下、或所述共用蓝光发光层设在所述空穴传输层之上。

2.根据权利要求1所述的硅基真实RGB显示器件，其特征在于，所述红光光学补偿层相对于所述红光发光层等宽对应设置；所述红光发光层和绿光发光层相邻平行设置。

3.根据权利要求1所述的硅基真实RGB显示器件，其特征在于，所述空穴注入层设置在所述红光光学补偿层及未被红光光学补偿覆盖的ITO阳极之上；所述空穴传输层设置在所述空穴注入层之上。

4.根据权利要求1所述的硅基真实RGB显示器件，其特征在于，所述共用蓝光发光层设置在所述空穴传输层之上；所述红光发光层和所述绿光发光层设置在所述共用蓝光发光层之上，但是所述共用蓝光发光层的上表面并未被所述红光发光层和所述绿光发光层完全覆盖；所述空穴阻挡层设置在所述红光发光层、所述绿光发光层和未被所述红光发光层和所述绿光发光层覆盖的共用蓝光发光层之上。

5.根据权利要求4所述的硅基真实RGB显示器件，其特征在于，所述共用蓝光发光层采用偏空穴的蓝光主体材料；所述共用蓝光发光层的LUMO能级高于所述红光发光层和所述绿光发光层的LUMO能级。

6.根据权利要求1所述的硅基真实RGB显示器件，其特征在于，所述红光发光层和所述绿光发光层设置在所述空穴传输层之上，但并未完全覆盖所述空穴传输层的上表面；所述共用蓝光发光层设置在所述红光发光层、所述绿光发光层及未被覆盖的空穴传输层之上；所述空穴阻挡层设置在所述共用蓝光发光层之上。

7.根据权利要求6所述的硅基真实RGB显示器件，其特征在于，所述共用蓝光发光层采用偏电子的蓝光主体材料；所述共用蓝光发光层的HOMO能级低于所述红光发光层和所述绿光发光层的HOMO能级。

8.根据权利要求4或6所述的硅基真实RGB显示器件，其特征在于，所述共用蓝光发光层的厚度为20nm～40nm；所述红光光学补偿层的厚度为65nm～85nm；所述红光发光层、所述绿光发光层均使用精细金属掩膜进行蒸镀，其他膜层均使用开口掩膜进行蒸镀。

9.根据权利要求4或6所述的硅基真实RGB显示器件，其特征在于，所述红光发光层的厚度为30～40nm；所述绿光发光层的厚度为30～40nm；所述ITO阳极的厚度为10～20nm。

10.根据权利要求4或6所述的硅基真实RGB显示器件，其特征在于，所述硅基真实RGB显示器件由下至上依次包括：ITO阳极、混合结构层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极、封盖层。