[实用新型]用于反激式变换器的功率集成二极管芯片结构

权利要求书

1.一种用于反激式变换器的功率集成二极管芯片结构，其特征在于，所述结构自下至上依次叠层包括阴极金属、衬底、外延层、场氧化层、多晶硅层、介质层及阳极金属，所述阴极金属及所述阳极金属分别作为功率集成二极管芯片的两个电极，所述外延层与所述衬底具有相同的导电类型，所述外延层的上部设有用于形成纵向PN结的第一阱区、用于形成终端环区的若干第二阱区及用于形成横向PN结的沟槽，所述第一阱区与所述外延层构成高压慢恢复二极管的有源区，所述若干第二阱区与所述外延层构成终端环区，所述沟槽用于构成中低压横向二极管的有源区。

2.如权利要求1所述的用于反激式变换器的功率集成二极管芯片结构，其特征在于，所述沟槽的一端形成有第一导电类型的第三阱区，所述沟槽的另一端内有与第三阱区极性相反的多晶硅填充区，用于与所述第三阱区形成横向PN结。

3.如权利要求2所述的用于反激式变换器的功率集成二极管芯片结构，其特征在于，所述第一阱区、所述若干第二阱区及所述第三阱区内均纵向形成有多个不同浓度的掺杂区。

4.如权利要求3所述的用于反激式变换器的功率集成二极管芯片结构，其特征在于，所述第一阱区、所述若干第二阱区及所述第三阱区内均纵向形成有两个不同浓度的掺杂区。

5.如权利要求1所述的用于反激式变换器的功率集成二极管芯片结构，其特征在于，所述外延层的层数为两层，自下而上包括第一外延层及第二外延层，且所述第二外延层的电阻率和厚度均对应大于所述第一外延层的电阻率和厚度。

6.如权利要求2所述的用于反激式变换器的功率集成二极管芯片结构，其特征在于，所述多晶硅层还包括多晶硅场板及多晶硅电阻，所述多晶硅场板用于提高高压慢恢复二极管的击穿电压，所述多晶硅电阻用于减轻震荡，所述多晶硅电阻包括第一端及第二端。

7.如权利要求6所述的用于反激式变换器的功率集成二极管芯片结构，其特征在于，所述介质层上形成有第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔、第四接触孔、第五接触孔及第六接触孔，所述第一接触孔与所述沟槽的第一端表面相通，所述第二接触孔与所述多晶硅电阻的第一端的表面相通，所述第三接触孔与所述第一阱区的表面相通，所述第四接触孔与所述第二阱区的表面相通，所述第五接触孔与所述沟槽的第二端表面相通，所述第六接触孔与所述多晶硅电阻的第二端的表面相通。

8.如权利要求7所述的用于反激式变换器的功率集成二极管芯片结构，其特征在于，所述阳极金属包括第一阳极金属，所述第一阳极金属为芯片阳极引线键合区域，包括第一金属连线及第二金属连线，所述第一金属连线通过所述第一接触孔与所述第三阱区的表面相接触，用于中低压横向二极管的阳极金属连线，所述第二金属连线通过所述第二接触孔与所述多晶硅电阻的第一端相接触。

9.如权利要求7所述的用于反激式变换器的功率集成二极管芯片结构，其特征在于，所述阳极金属包括第二阳极金属，所述第二阳极金属包括第三金属连线、第四金属连线、第五金属连线及第六金属连线，所述第三金属连线通过所述第三接触孔与所述第一阱区的表面相连接，用于高压慢恢复二极管的阳极金属连线，所述第四金属连线通过所述第四接触孔与所述第二阱区的表面相连接，所述第五金属连线通过所述第五接触孔与所述沟槽内的多晶硅填充区的表面相连接，用于中低压横向二极管的阴极金属连线，所述第六金属连线通过所述第六接触孔与所述多晶硅电阻的第二端相连接。

10.如权利要求1所述的用于反激式变换器的功率集成二极管芯片结构，其特征在于，所述介质层为磷硅玻璃。