[实用新型]LED芯片结构及显示模组

说明书

本实用新型公开了一种LED芯片结构及显示模组，包括依次层叠的N型层、量子肼有源层和P型层，所述LED芯片结构还设有若干孔结构，所述孔结构依次贯穿所述P型层和所述量子肼有源层，直至所述N型层内部，所述孔结构内设有量子点，所述量子点位于所述孔结构的底部，所述量子点与所述N型层直接接触且所述量子点不与所述量子肼有源层直接接触，所述量子点的高度不超过所述N型层的靠近所述P型层一侧的表面。本实用新型通过将量子点不与量子肼有源层以及P型层直接接触，避免P型层升温对量子点性能的影响。

技术领域

本实用新型涉及LED芯片技术领域，更具体地，涉及一种LED芯片结构及显示模组。

背景技术

现有NanoLED芯片结构包括依次层叠的N型层、量子肼有源层和P型层，N型层和P型层分别与电源相连接，NanoLED芯片结构还设有若干孔结构，孔结构依次贯穿P型层和量子肼有源层，直至N型层内部，孔结构内的N型层区域、量子肼有源层区域和P型层区域均填充有量子点，量子点受激发能产生特定波长的光线。由于填充的量子点与P型层接触，P型层连通电源后易升温，导致量子点的温度也升高，致使量子点性能不稳定。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种LED芯片结构，通过将量子点仅填充至N型层内部，且在量子肼有源层形成钝化层，钝化层将P型层与量子点隔离，避免P型层升温对量子点性能的影响。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种LED芯片结构，其特征在于，包括依次层叠的N型层、量子肼有源层和P型层，所述LED芯片结构还设有若干孔结构，所述孔结构依次贯穿所述P型层和所述量子肼有源层，直至所述N型层内部，所述孔结构内设有量子点，所述量子点与所述N型层直接接触且所述量子点不与所述量子肼有源层以及所述P型层直接接触，所述量子点的高度不超过所述N型层的靠近所述P型层一侧的表面。

优选的，还包括钝化层，所述钝化层设置于所述孔结构内且覆盖在所述量子点的上方，所述量子点比所述钝化层更靠近所述N型层，所述钝化层隔离所述量子点和所述量子肼有源层以及所述P型层。

优选的，所述钝化层的高度至少到达所述量子肼有有源层的靠近所述P型层一侧的表面。

优选的，所述钝化层的材质为SiO₂、Si₃N₄或Al₂O₃。

优选的，还包括电流扩展层，所述电流扩展层形成于所述P型层的远离所述量子肼有源层一侧的表面和所述孔结构内的所述P型层区域的侧壁。

优选的，还包括P电极层，所述P电极层层叠于所述电流扩展层的远离所述P型层一侧的表面。

优选的，所述P电极层完全覆盖所述电流扩展层，且使所述P电极层的背离所述P型层一侧的表面为平坦表面。

优选的，还包括导电基板，所述导电基板层叠至所述P电极层的背离所述P型层一侧的表面。

优选的，所述N型层背离所述P型层一侧的表面为粗化面。

优选的，还包括N电极，所述N电极层叠于所述N型层背离所述P型层一侧的表面。

本实用新型还公开了一种显示模组，包括上述的LED芯片结构。

实施本实用新型实施例，将具有如下有益效果：

本实用新型实施例通过使量子点不与量子肼有源层以及P型层直接接触，避免P型层升温对量子点性能的影响；通过使量子点的高度不超过N型层的靠近P型层一侧的表面，也避免量子点对量子肼有源层的性能影响，从而维持量子点性能稳定以及量子肼有源层的性能稳定。

附图说明