[实用新型]LED芯片结构及显示模组

权利要求书

1.一种LED芯片结构，其特征在于，包括依次层叠的N型层、量子肼有源层和P型层，所述LED芯片结构还设有若干孔结构，所述孔结构依次贯穿所述P型层和所述量子肼有源层，直至所述N型层内部，所述孔结构内设有量子点，所述量子点与所述N型层直接接触且所述量子点不与所述量子肼有源层以及所述P型层直接接触，所述量子点的高度不超过所述N型层的靠近所述P型层一侧的表面。

2.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层设置于所述孔结构内且覆盖在所述量子点的上方，所述量子点比所述钝化层更靠近所述N型层，所述钝化层隔离所述量子点和所述量子肼有源层以及所述P型层。

3.根据权利要求2所述的LED芯片结构，其特征在于，所述钝化层的高度至少到达所述量子肼有有源层的靠近所述P型层一侧的表面。

4.根据权利要求3所述的LED芯片结构，其特征在于，所述钝化层的材质为SiO₂、Si₃N₄或Al₂O₃。

5.根据权利要求4所述的LED芯片结构，其特征在于，还包括电流扩展层，所述电流扩展层形成于所述P型层的远离所述量子肼有源层一侧的表面和所述孔结构内的所述P型层区域的侧壁。

6.根据权利要求5所述的LED芯片结构，其特征在于，还包括P电极层，所述P电极层层叠于所述电流扩展层的远离所述P型层一侧的表面。

7.根据权利要求6所述的LED芯片结构，其特征在于，所述P电极层完全覆盖所述电流扩展层，且使所述P电极层的背离所述P型层一侧的表面为平坦表面。

8.根据权利要求6或7所述的LED芯片结构，其特征在于，还包括导电基板，所述导电基板层叠至所述P电极层的背离所述P型层一侧的表面。

9.根据权利要求8所述的LED芯片结构，其特征在于，所述N型层背离所述P型层一侧的表面为粗化面。

10.根据权利要求8所述的LED芯片结构，其特征在于，还包括N电极，所述N电极层叠于所述N型层背离所述P型层一侧的表面。

11.一种显示模组，其特征在于，包括如权利要求1～10中任一项所述的LED芯片结构。