[实用新型]一种单晶提拉炉有效
申请号: | 202120754817.3 | 申请日: | 2021-04-13 |
公开(公告)号: | CN214881925U | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 张春林 | 申请(专利权)人: | 天津物科光电技术有限公司 |
主分类号: | C30B15/14 | 分类号: | C30B15/14 |
代理公司: | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人: | 胡林 |
地址: | 300000 天津市北辰区天津北辰经济技术*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶提拉炉 | ||
本实用新型公开了一种单晶提拉炉,包括炉体,炉体内设置连通的上炉腔和下炉腔,上炉腔内设有提拉杆,提拉杆的下端通过夹持器安装有籽晶,下炉腔内设有支撑台,支撑台上设有热场组件和坩埚,热场组件包括导热座、电磁感应线圈、加热盘和保温套,导热座安装于支撑台上,导热座的上部设有坩埚安装槽,坩埚适配于坩埚安装槽内,导热座的上部围绕坩埚安装槽外设置有环形凹槽,电磁感应线圈容置于环形凹槽内,加热盘安装于坩埚安装槽下方的导热座内,保温套套设于导热座外。本实用新型解决了现有的单晶提拉炉融化晶体原料过程中加热速度慢,提拉晶体过程中热场温度不稳定影响晶体的无缺陷生长的问题。
技术领域
本实用新型涉及晶体生长技术领域,具体涉及一种单晶提拉炉。
背景技术
提拉法的生长工艺首先将待生长的晶体的原料放在耐高温的坩埚中加热熔化,调整炉内温度场,使熔体上部处于过冷状态;然后在提拉杆上安放一粒籽晶,让籽晶接触熔体表面,待籽晶表面稍熔后,提拉并转动提拉杆,使熔体处于过冷状态而结晶于籽晶上,在不断提拉和旋转过程中,生长出圆柱状晶体。
在单晶拉制过程的各个工序中,均需要控制热场内的温度,以达到预设的工艺需求,现有的单晶提拉炉主要通过石墨加热器对坩埚进行加热,其加热速度比较慢,融化晶体原料耗费的时间较长,有的单晶提拉炉也采用电磁感应加热,电磁感应加热虽然能够快速使晶体原料融化,但是难以控制热场温度的稳定性,不利于晶体的无缺陷生长。
实用新型内容
针对现有技术中的缺陷,本实用新型提供了一种单晶提拉炉,以解决现有的单晶提拉炉融化晶体原料过程中加热速度慢,晶体提拉生长过程中热场温度不稳定影响晶体的无缺陷生长的问题。
本实用新型提供了一种单晶提拉炉,包括炉体,所述炉体内设置连通的上炉腔和下炉腔,所述上炉腔内设有提拉杆,所述提拉杆的下端通过夹持器安装有籽晶,所述下炉腔内设有支撑台,所述支撑台上设有热场组件和坩埚,所述热场组件包括导热座、电磁感应线圈、加热盘和保温套,所述导热座安装于所述支撑台上,导热座的上部设有坩埚安装槽,所述坩埚适配于所述坩埚安装槽内,导热座的上部围绕所述坩埚安装槽外设置有环形凹槽,所述电磁感应线圈容置于所述环形凹槽内,所述加热盘安装于所述坩埚安装槽下方的导热座内,所述保温套套设于所述导热座外。
进一步地,所述支撑台上设置有凸台,凸台的周围形成环形台阶,所述导热座置于所述凸台上,所述保温套的下端抵在所述环形台阶上并套在所述凸台外。
进一步地,所述电磁感应线圈的上端的四周连接有四个绝缘支架,各所述绝缘支架的靠近外端设置有第一条形孔,所述下炉腔的内壁上设置有四个与各绝缘支架一一对应的连接耳,各所述连接耳上设置有与对应绝缘支架上的第一条形孔垂直的第二条形孔,各所述绝缘支架与对应的各连接耳之间通过穿过第一条形孔和第二条形孔的螺栓固定。
进一步地,所述导热座采用绝缘陶瓷。
进一步地,所述加热盘采用电热丝或石墨加热盘。
进一步地,所述保温套采用保温棉。
进一步地,所述炉体的上部设有连通所述上炉腔的进气口,所述炉体的下部设有连通所述下炉腔的排气口。
进一步地,所述坩埚的上方设置有锥形导流筒,所述锥形导流筒的上端设有外沿,所述下炉腔上部的内壁上设置有环形支撑板,所述锥形导流筒的外沿支撑于所述环形支撑板上。
进一步地,所述炉体的顶部设置有用于驱动所述提拉杆旋转升降的第一驱动器。
进一步地,所述炉体的底部安装有转轴,所述支撑台固定于所述转轴上,炉体的底部设置有用于驱动所述转轴转动的第二驱动器。
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