[实用新型]一种薄膜晶体管

说明书

本实用新型公开了一种薄膜晶体管，包括层叠设置的衬底基板及有源层，所述有源层包括沟道区及设于沟道区两侧与所述沟道区连接的导体化区，所述沟道区设有将沟道区分隔成多个沟道的导体层。本实用新型的有源层通过导体层将沟道区分隔成多个沟道，从而使有源层的有效沟道长度减小，当沟道的宽度一定时，可提高驱动电路薄膜晶体管的输出电流，从而满足用户的需求。此外，本实用新型的有源层结构可提高多种不同结构的薄膜晶体管的输出电流，具有一定的普适性。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管。

背景技术

薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要开关元件，薄膜晶体管直接关系到平板显示装置的性能。

根据TFT有源层半导体材料的不同，薄膜晶体管可分为非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)、多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFT)、有机薄膜晶体管及金属氧化物薄膜晶体管。其中，金属氧化物由于较高的迁移率和透光性，成为现阶段显示器件的主流沟道材料。然而，现有的氧化物薄膜晶体管器件的输出电流具有局限性，且受沟道尺寸的影响，导致TFT面板很难具有很高的驱动电流。对于同一TFT器件，其有效沟道长度决定了器件的输出电流大小，有效沟道长度越小，器件的导通电流将会越大。但器件的有效沟道长度缩短也有局限性，这跟源漏极与有源层接触需要导体化的工艺过程有关，当沟道过短，导体化有可能使有源层导通，器件失效。因此，如何提高氧化物薄膜晶体管的输出电流就成为一种客观需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种触控面板，解决现有技术中金属氧化物薄膜晶体管输出电流小缺陷。

为实现以上目的，本实用新型提供一种薄膜晶体管，包括层叠设置的衬底基板及有源层，所述有源层包括沟道区及设于沟道区两侧与所述沟道区连接的导体化区，所述沟道区设有将沟道区分隔成多个沟道的导体层。

可选的，多个所述沟道沿所述沟道区的长度方向依次间隔排列。

进一步地，所述导体层的导电率高于所述沟道的导电率。

进一步地，所述导体层包括沿沟道区厚度方向延伸的多个导体，相邻的所述导体之间通过相应的沟道隔开。

进一步地，任意所述导体的宽度大于相邻的所述沟道的宽度。

可选的，还包括栅绝缘层及栅极，所述栅绝缘层设于有源层远离衬底基板一侧的表面上，所述栅极设于栅绝缘层远离有源层一侧的表面上，所述栅极与所述沟道区相对应。

可选的，还包括栅绝缘层及栅极，所述栅绝缘层设于有源层靠近衬底基板一侧的表面上，所述栅极设于栅绝缘层靠近所述衬底基板一侧的表面上，且所述沟道区与所述栅极相对应。

进一步地，还包括源极及漏极，所述源极及漏极设于所述有源层远离所述衬底基板一侧，且所述源极及漏极分别与所述沟道区两侧的导体化区连接。

进一步地，所述有源层与所述衬底基板之间设有阻障层及遮光层，所述遮光层与所述沟道区相对应，所述阻障层设于所述有源层靠近衬底基板的一侧，所述遮光层设于所述阻障层靠近所述衬底基板的一侧。

进一步地，所述有源层远离栅绝缘层一侧的表面上设有刻蚀阻挡层。

本实用新型的有益效果：

本实用新型的有源层通过导体层将沟道区分隔成多个沟道，从而使有源层的有效沟道长度减小，当沟道的宽度一定时，可提高驱动电路薄膜晶体管的输出电流，从而满足用户的需求。此外，本实用新型的有源层结构可提高多种不同结构的薄膜晶体管的输出电流，具有一定的普适性。

附图说明