[实用新型]一种薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括层叠设置的衬底基板及有源层，所述有源层包括沟道区及设于沟道区两侧与所述沟道区连接的导体化区，所述沟道区设有将沟道区分隔成多个沟道的导体层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，多个所述沟道沿所述沟道区的长度方向依次间隔排列。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导体层的导电率高于所述沟道的导电率。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导体层包括沿沟道区厚度方向延伸的多个导体，相邻的所述导体之间通过相应的沟道隔开。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，任意所述导体的宽度大于相邻的所述沟道的宽度。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅绝缘层及栅极，所述栅绝缘层设于有源层远离衬底基板一侧的表面上，所述栅极设于栅绝缘层远离有源层一侧的表面上，所述栅极与所述沟道区相对应。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅绝缘层及栅极，所述栅绝缘层设于有源层靠近衬底基板一侧的表面上，所述栅极设于栅绝缘层靠近所述衬底基板一侧的表面上，且所述沟道区与所述栅极相对应。

8.如权利要求6或7所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括源极及漏极，所述源极及漏极设于所述有源层远离所述衬底基板一侧，且所述源极及漏极分别与所述沟道区两侧的导体化区连接。

9.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层与所述衬底基板之间设有阻障层及遮光层，所述遮光层与所述沟道区相对应，所述阻障层设于所述有源层靠近衬底基板的一侧，所述遮光层设于所述阻障层靠近所述衬底基板的一侧。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层远离栅绝缘层一侧的表面上设有刻蚀阻挡层。