[实用新型]一种半导体免切的清洁膜有效
申请号: | 202120700361.2 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN215512550U | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 闫奋娥 | 申请(专利权)人: | 昆山倬跃蓝天电子科技有限公司 |
主分类号: | B32B3/30 | 分类号: | B32B3/30;B32B33/00;B32B27/36;B32B7/12;B32B9/00;B32B9/04;H01L21/683 |
代理公司: | 北京兴智翔达知识产权代理有限公司 11768 | 代理人: | 张玉梅 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 清洁 | ||
1.一种半导体免切的清洁膜,包括清洁层(1),其特征在于:所述清洁层(1)两侧设置有保护层(2),所述保护层(2)两侧设置有胶黏层(3),所述胶黏层(3)两侧设置有散热层(4),所述散热层(4)两侧设置防磨层(5),所述防磨层(5)两侧设置有连接层(7)。
2.如权利要求1所述的一种半导体免切的清洁膜,其特征在于:所述保护层(2)与清洁层(1)接触面上均匀设置有凸起(6)。
3.如权利要求1所述的一种半导体免切的清洁膜,其特征在于:所述清洁层(1)的材质为纳米级二氧化钛。
4.如权利要求1所述的一种半导体免切的清洁膜,其特征在于:所述连接层(7)采用聚对苯二甲酸材质。
5.如权利要求1所述的一种半导体免切的清洁膜,其特征在于:所述连接层(7)上间断设置有压纹(9),所述压纹(9)中轴线两端设置有三角口(8)。
6.如权利要求1所述的一种半导体免切的清洁膜,其特征在于:所述压纹(9)上均匀设置有矩形断点(10),所述断点(10)中轴线与所述三角口(8)中轴线齐平。
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