[实用新型]一种氮化钽覆膜钢材料的制备装置有效

专利信息
申请号: 202120685290.3 申请日: 2021-04-02
公开(公告)号: CN214881901U 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 蔡志隆;刘崇志 申请(专利权)人: 泰杋科技股份有限公司;北京利宝生科技有限公司
主分类号: C25D17/00 分类号: C25D17/00;C25D3/54;C25D5/48;C25D21/02;C25D21/18;C25D9/02
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人: 罗恒兰
地址: 中国台湾新竹县竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 一种 氮化 钽覆膜 钢材 制备 装置
【说明书】:

本实用新型涉及一种氮化钽覆膜钢材料的制备装置,其包括反应室、感应加热系统、集液槽以及抽气注气系统;反应室包括反应槽、盖盘、第一盖帽和第二盖帽,反应槽由绝缘材料制成;盖盘盖住反应槽并密封连接,盖盘上设有一大圆孔;第一盖帽和第二盖帽不同时使用,第一盖帽和第二盖帽均可与大圆孔密封连接;第一盖帽上设有阳极联接头和钽电极,阳极联接头与钽电极连接,且钽电极可伸入到反应槽中;盖盘或反应槽上设有可连通反应槽内部的阴极联接头;第二盖帽上设有气管,气管通过冷凝管连通集液槽或管道连通抽气注气系统;感应加热系统围绕反应槽的外周设置。本实用新型设备、源料成本低,操作简单,钢材料表面氮化钽薄膜均匀完整且质量好。

技术领域

本实用新型涉及氮化钽膜覆膜材料制备技术领域,尤其涉及一种氮化钽覆膜钢材料的制备装置。

背景技术

氮化钽薄膜具有硬度高、化学稳定性好、耐腐蚀性强以及优异的耐热和冲击性能。因为氮化钽薄膜拥有优良的物理与化学特性,因此大量被应用在半导体溅射沉积工艺、离子注入工艺,干式蚀刻工艺上,作为设备腔体内部和暴露在反应区内的零部件的屏蔽防护膜使用。

在氮化钽膜的制备方面,主要釆用磁控溅射法、物理沉积、化学沉积和近期研究提出的浑光放电法。在大型设备工件上镀氮化钽膜时,上述的工艺存在一定的缺陷。当设备工件尺寸越大时,对镀膜设备尺寸要求就越高,成本相对的增加。同时设备工件越复杂,镀膜难度越高,如一些有钻孔位置、侧面没办法一次性完成。

发明内容

针对现有技术存在的问题,本实用新型的目的在于提供一种氮化钽覆膜钢材料的制备装置,其设备成本低,镀膜难度小,操作简单,对于复杂的设备工件可以一次性完成覆膜,而且氮化钽薄膜覆盖完整且均匀。

为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:

一种氮化钽覆膜钢材料的制备装置,其包括反应室、感应加热系统、集液槽以及抽气注气系统;

所述反应室包括反应槽、盖盘、第一盖帽和第二盖帽,所述反应槽由绝缘材料制成;所述盖盘盖住反应槽并密封连接,盖盘上设有一大圆孔;所述第一盖帽和第二盖帽不同时使用,第一盖帽和第二盖帽均可与所述大圆孔密封连接;

所述第一盖帽上设有阳极联接头和钽电极,阳极联接头与钽电极连接,且钽电极可伸入到所述反应槽中;所述盖盘或反应槽上设有可连通反应槽内部的阴极联接头;

所述第二盖帽上设有气管,所述气管通过冷凝管连通集液槽或管道连通抽气注气系统;

所述感应加热系统围绕所述反应槽的外周设置。

优选地,所述反应槽的槽口位置设有金属法兰,所述金属法兰的外沿设有若干第一螺栓孔,所述盖盘的相对位置上设有与第一螺栓孔匹配的第二螺栓孔。

优选地,所述金属法兰的内沿设有一圈第一沟槽,所述第一沟槽内设有第一绝缘密封环。

优选地,所述阴极联接头设置在金属法兰的外侧。

优选地,所述大圆孔的外周设有一圈第二沟槽,所述第二沟槽内设有若干第一螺纹孔,所述第一盖帽和第二盖帽的相对位置上均设有与第一螺纹孔相对应的第三螺栓孔;所述第二沟槽内还设有第二绝缘密封环。

优选地,还包括设置在所述反应槽外部的红外测温装置。

优选地,所述盖盘上设有防爆泄气阀。

优选地,所述反应槽的槽底设有若干石英托。

优选地,所述反应槽由石英玻璃制成。

优选地,所述反应槽内设有若干用于连通钢材料和阴极联接头的金属导线。

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