[实用新型]晶圆清洗设备及定位治具有效
申请号: | 202120682638.3 | 申请日: | 2021-04-02 |
公开(公告)号: | CN213459689U | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 晁萌;杨晶峰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67;B08B3/02;B08B13/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 刘敏 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 设备 定位 | ||
1.一种晶圆清洗设备,其特征在于,包括:
定位基座,包括可转动的夹具,所述夹具用于固定晶圆;
定位治具,可拆卸地固定于所述夹具上,所述定位治具包括平行于水平面设置的定位面,所述定位面上设置有多个同心圆和以所述多个同心圆的圆心为基准的刻度线,且所述圆心位于所述夹具的旋转中心线上;以及
清洗装置,与所述定位基座相对设置,所述清洗装置包括可移动的清洗喷嘴,所述清洗喷嘴能够朝向所述定位面滴落液滴,并通过所述液滴在所述定位面上的所述刻度线示出的坐标位置与所述圆心之间的偏差调整所述清洗喷嘴的位置,以使所述液滴落在所述圆心上。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述定位治具的所述刻度线包括第一刻度线和第二刻度线,所述第一刻度线经过所述圆心且沿第一方向延伸,所述第二刻度线沿所述多个同心圆的圆周方向间隔分布。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述定位治具的所述刻度线包括第一刻度线和第三刻度线,所述第一刻度线经过所述圆心且沿第一方向延伸,所述第三刻度线经过所述圆心且沿第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向相交设置。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述第一方向与所述第二方向之间呈直角设置。
5.根据权利要求2至4任一项所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述第一方向为在所述定位面内的水平方向或者竖直方向。
6.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述定位面上的所述多个同心圆沿自身径向等间距分布。
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述定位治具的所述刻度线包括多个刻度标记,相邻的两个所述刻度标记之间的距离呈毫米级或者微米级设置。
8.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述定位治具为板状结构,形状为圆形或者正多边形。
9.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述清洗装置还包括清洗盘,所述清洗喷嘴贯穿所述清洗盘设置。
10.一种定位治具,其特征在于,所述定位治具包括平行于水平面设置的定位面,所述定位面上设置有多个同心圆和以所述多个同心圆的圆心为基准的刻度线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造