[实用新型]一种用于中子、伽马辐射环境的耐辐照相机机构有效
| 申请号: | 202120681342.X | 申请日: | 2021-04-02 |
| 公开(公告)号: | CN214897649U | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
| 发明(设计)人: | 范文杰;孟晓峰 | 申请(专利权)人: | 北京普达迪泰科技有限公司 |
| 主分类号: | G21F1/08 | 分类号: | G21F1/08;G21F3/00;G21F1/10;H04N5/225;H04N5/235 |
| 代理公司: | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人: | 赵红霞 |
| 地址: | 100083 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 中子 辐射 环境 辐照 相机 机构 | ||
本实用新型公开了一种用于中子、伽马辐射环境的耐辐照相机机构,具体涉及照相机领域,包括相机外壳,所述相机外壳的底端设置有伽马屏蔽端盖,所述伽马屏蔽端盖上端位于相机外壳的内部固定设置有中子屏蔽支撑板,所述中子屏蔽支撑板的上端固定安装有摄像头,所述摄像头外侧位于CMOS传感器的上方固定设置有伽马屏蔽前板和中子屏蔽前板,所述伽马屏蔽前板的上端固定设置有遮光板,所述相机外壳的上端固定设置有相机镜头盖板。本实用新型通过专用光路设计、中子屏蔽和伽马屏蔽结合的方式实现对中子、伽马辐射敏感器件CMOS传感器的保护,从而整体提升耐辐照相机在中子、伽马辐射环境的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及照相机技术领域,更具体地说,本实用新型涉及一种用于中子、伽马辐射环境的耐辐照相机机构。
背景技术
核能是技术成熟而又可大规模提供电力的清洁能源,但是作为释放核能的反应堆,却是一个巨大的放射源,在反应堆堆芯内,核燃料裂变时会产生中子和伽马辐射,另外冷却剂本身及其含有的杂质和携带的腐蚀产物会被中子活化,活化产物衰变也会产生伽马等辐射,反应堆运行时冷却剂会连续不断地将在堆芯产生的放射性物质带到相关的设备中去,因此在核设施工作的人员可能遭受辐照的危险,在核泄漏极端条件下,泄漏点会形成高剂量率的辐射热点,依靠人工进行检查则极易对人体造成过量的辐射危害,通过远程控制机器人搭载云台相机实现对目标区域的视频检查则是一种降低人体不必要的辐射危害可行方案。由于相机的内部存在辐射敏感的电子元器件,故满足不了核设施内高放射性区域环境下的较高的可靠性运行要求,因此用于核设施内高放射性的中子、伽马辐射环境的相机必须经过辐照加固处理,以提高辐射环境运行的可靠性。
用于屏蔽伽马辐射的材料一般是采用混凝土或原子序数比较大的重元素金属及其合金,例如铅、钨镍合金等,利用是伽马辐射电磁波在这些高密度材料的散射吸收。而于中子屏蔽的材料一般是采用轻元素组成的物质,例如聚乙烯、碳化硼、石蜡等,其中含硼聚乙烯材料具有较好的中子屏蔽效果,其屏蔽原理是利用聚乙烯中的氢原子慢化中子,然后利用硼作为慢中子的吸收剂,最终慢化和吸收中子。
实用新型内容
为了克服现有技术的上述缺陷,本实用新型的实施例提供一种用于中子、伽马辐射环境的耐辐照相机机构,本实用新型所要解决的技术问题是:如何提高照相机在特殊环境下对伽马或中子辐射进行屏蔽,提高照相机在高辐射环境下运行的可靠性。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种用于中子、伽马辐射环境的耐辐照相机机构,包括相机外壳,所述相机外壳的底端设置有伽马屏蔽端盖,所述伽马屏蔽端盖上端位于相机外壳的内部固定设置有中子屏蔽支撑板,所述中子屏蔽支撑板的上端固定安装有摄像头,所述摄像头外侧位于CMOS传感器的上方固定设置有伽马屏蔽前板和中子屏蔽前板,所述伽马屏蔽前板的上端固定设置有遮光板,所述相机外壳的上端固定设置有相机镜头盖板,所述相机镜片盖板的上端通过螺栓固定设置有镜头盖,所述镜头盖的上端两侧固定设置有灯罩安装座,所述灯罩安装座上安装有照明灯罩,所述照明灯罩的内部安装有LED照明灯,所述相机镜头盖板的内侧固定设置有相机镜头,所述镜头盖的底端位于相机镜头盖板内部固定设置有反光镜支架,所述反光镜支架上固定安装有反光镜。
在一个优选的实施方式中,所述反光镜背部开设有螺纹孔,所述反光镜通过螺纹孔固定安装在反光镜支架上。
在一个优选的实施方式中,所述相机外壳和镜头盖之间形成密封腔体,所述相机镜头、反光镜和反光镜支架均设置在密封腔体内部。
在一个优选的实施方式中,所述相机镜头采用抗辐射玻璃制作而成,所述相机镜头的镜片面型为球面设置。
在一个优选的实施方式中,所述相机外壳为圆柱形设置,所述相机外壳采用10mm厚的钨镍铁合金制作而成。
在一个优选的实施方式中,所述伽马屏蔽前板和中子屏蔽前板均为盘状设置,中心开设有通槽,所述摄像头贯穿伽马屏蔽前板和中子屏蔽前板设置,所述伽马屏蔽前板采用钨镍铁合金HA180材料加工制成,所述中子屏蔽前板采用硼含量为20-30%的含硼聚乙烯材料加工制成。
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