[实用新型]一种多坩埚旋转平台有效
| 申请号: | 202120671731.4 | 申请日: | 2021-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN215251118U | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
| 发明(设计)人: | 杨露明;冯秋洁 | 申请(专利权)人: | 杭州星河材料科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市滨江区浦*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 坩埚 旋转 平台 | ||
本实用新型涉及一种多坩埚旋转平台,所述多坩埚旋转平台包括坩埚托架以及设置于坩埚托架上方的坩埚盖;所述坩埚托架的底部设置有第一支撑轴;所述第一支撑轴控制坩埚托架沿第一支撑轴的轴向位移,并控制坩埚托架沿第一支撑轴的轴向旋转;所述坩埚盖与位移装置连接;所述位移装置控制坩埚盖沿第一支撑轴的轴向位移;所述坩埚托架设置有放置坩埚的至少2个通孔;所述坩埚盖设置有第一凹槽,所述第一凹槽用于露出至少2个通孔中的1个通孔。本实用新型通过第一支撑轴与坩埚盖的设置,通过坩埚托架的上升、旋转以及下降,完成第一凹槽处露出坩埚的切换,从而实现在不破真空的条件下,完成多种材料的交替蒸发镀膜。
技术领域
本实用新型属于真空镀膜技术领域,涉及一种坩埚平台,尤其涉及一种多坩埚旋转平台。
背景技术
传统材料研究,一次实验制备一个样品,因此材料研发周期长。高通量材料芯片技术借鉴制造集成电路芯片的掩膜技术,在一块基底上一次实验可以制备成千上万种不同组分的材料,并快速表征成分、结构、物相,能大幅度缩短了新材料的研发周期。高通量材料芯片技术已经成为材料研发的一种重要方法。
高通量材料芯片技术通常需要使用多种材料交替镀膜。在电子束蒸发镀膜里,由于电子束源在上方,可以考虑使用多穴坩埚的旋转来更换不同材料。但对于目前热蒸发镀膜,由于坩埚是直接放置于热蒸发源中的,如果需要变换材料,往往需要打破真空开腔体,取出蒸发源中的坩埚,以便更换坩埚和材料,这样一来,反复打破真空和抽真空需要耗费大量时间,而且有可能给腔体带来污染。
CN 209338644U公开了一种镀膜机,镀膜机的真空腔中设置有自动填料装置,在进行镀膜操作时,储料装置在第一驱动装置的驱动下,按照设定的时间间隔将存储的镀膜材料一份一份的下方,然后传送装置在接收到储料装置下方的镀膜材料后,在自身的第二驱动装置作用下,将该镀膜材料传送并装填到坩埚中,如此在镀膜过程中,不再需要频繁打开真空腔为坩埚添加镀膜材料,减少了开腔的次数,减少了腔室污染。但该镀膜机使用相同的坩埚进行镀膜,存在不同原料之间相互污染的问题。
CN 207130331U公开了一种多位电阻蒸发装置,包括坩埚、电极和传动系统,传动系统包括步进电机、传动齿轮组和传动轴,坩埚安装在真空镀膜机内,且坩埚设有多个蒸发舟,电极安装在真空镀膜机的底部,传动系统位于真空镀膜机的底部,步进电机和传动轴通过传动齿轮组连接,传动轴穿过真空镀膜机的底部与坩埚连接。当一个蒸发舟内的物料用完后,步进电机转动,控制坩埚旋转一定角度,转到下一个蒸发舟继续镀膜,对于需要多种物料镀膜的产品也使用,但仍然存在不同蒸发舟之内的物料相互污染的问题。
CN 206486586U公开了一种镀膜机蒸发源系统,包括电子枪、坩埚以及用于驱动坩埚的电极,所述电子枪以及坩埚均设置在镀膜机真空腔的底板上,坩埚上设置多个料槽,电子枪发射电子束将料槽中磨料加热蒸发。坩埚侧壁与电子枪侧壁之间设置装备间隙用于坩埚和电子枪的安装,所述坩埚的圆周面上设置环形的凹槽,凹槽包括两个对称设置的斜坡面形成引流结构;坩埚上方设置可以摆动的用于遮挡未达标磨料的档板。所述镀膜机蒸发源系统虽然可以实现对坩埚的切换,但无法有效避免各坩埚之间的相互影响。
对此,需要提供一种在不破坏真空腔体的条件下能够实现坩埚的更换,且能够有效避免多个坩埚之间相互影响的坩埚旋转平台,从而可以大幅度提高真空镀膜装置的使用效率,实现在不破坏真空条件下的多种材料的交替蒸发镀膜。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种多坩埚旋转平台,所述多坩埚旋转平台能够实现在不破真空条件下,对蒸发源中的坩埚进行切换,从而完成多种材料的交替蒸发镀膜。
为达到此实用新型目的,本实用新型采用以下技术方案:
本实用新型提供了一种多坩埚旋转平台,所述多坩埚旋转平台包括坩埚托架以及设置于坩埚托架上方的坩埚盖。
所述坩埚托架的底部设置有第一支撑轴;所述第一支撑轴控制坩埚托架沿第一支撑轴的轴向位移,并控制坩埚托架沿第一支撑轴的轴向旋转。
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