[实用新型]晶圆电极的清洁装置

说明书

本申请提供了一种晶圆电极的清洁装置，包括汇流壳体、盖合罩以及流体输送组件。汇流壳体为中空结构，包括有支撑台、汇流腔和排出口，汇流腔位于支撑台与排出口之间，汇流腔由支撑台至排出口的方向呈渐缩趋势。盖合罩为中空结构，包括有进口、扩散腔和连接部，盖合罩通过连接部连接于支撑台，扩散腔位于进口与连接部之间，扩散腔由进口至连接部的方向呈逐渐增大的趋势。流体输送组件经由盖合罩向汇流壳体供应清洁介质，流体输送组件与进口连接设置，清洁介质经由扩散腔膨化喷淋至支撑台上待清洁的晶圆电极。本申请的清洁装置替代了传统人工清洁方法，在节约人力的同时保证了清洁效果。

技术领域

本申请涉及晶电浆刻蚀设备技术领域，尤其涉及晶圆电极的清洁装置。

背景技术

传统的晶圆刻蚀设备通常配合电极一起使用，刻蚀设备包括有上电极、与上电极相对设置的下电极、冷却板、电源等等。使用过程中上电极与下电极部之间形成高压电场，驱动电浆对位于下电极上的晶元进行轰击，以达到蚀刻的目的。

晶圆刻蚀过程需要处于一个清洁度较高的环境，因此需要间歇性地对晶圆电极进行清洁，而传统的清洁方式往往为人工操作，浪费人力并且很难保证晶圆电极的清洁程度。

实用新型内容

本申请实施例的目的是提供一种晶圆电极的清洁装置，该清洁装置能够对晶圆电极实现自动清洁，并且提高晶圆电极的清洁效果。

为此，本申请实施例提供了一种晶圆电极的清洁装置，包括汇流壳体、盖合罩以及流体输送组件。汇流壳体为中空结构，包括有支撑台、汇流腔和排出口，汇流腔位于支撑台与排出口之间，汇流腔由支撑台至排出口的方向呈渐缩趋势。

盖合罩为中空结构，包括有进口、扩散腔和连接部，盖合罩通过连接部连接于支撑台，扩散腔位于进口与连接部之间，扩散腔由进口至连接部的方向呈逐渐增大的趋势。

流体输送组件经由盖合罩向汇流壳体供应清洁介质，流体输送组件与进口连接设置，清洁介质经由扩散腔膨化喷淋至支撑台上待清洁的晶圆电极。

在一些实施例中，支撑台设置于汇流腔内壁上并向汇流腔中心位置方向延伸，支撑台与晶圆电极的接触面为第一表面，支撑台在第一表面的正投影为环形结构。

在一些实施例中，沿进口至排出口的方向，汇流腔的最大截面尺寸小于扩散腔的最大截面尺寸，支撑台设置于汇流腔外壁上并沿背离汇流腔方向延伸。

在一些实施例中，清洁装置还包括支撑件，支撑件设置于汇流腔的外侧，并与支撑台固定连接。

在一些实施例中，排出口尺寸大于进口尺寸，以使清洁介质在排出口的流速不小于清洁介质在进口处的流速。

在一些实施例中，扩散腔为锥体结构，进口的中心线与扩散腔的轴线重合，以使清洁介质均匀喷淋在晶圆电极的表面。

在一些实施例中，连接部与支撑台连接处设置有密封圈。

在一些实施例中，流体输送组件包括流体驱动件、第一管道和第二管道，第一管道的一端与流体驱动件相连，另一端与进口连通，第二管道与排出口连通，清洁介质通过流体驱动件及第一管道进入至扩散腔，并通过汇流腔及第二管道输送至外界。

在一些实施例中，第一管道设置有过滤器，用于分离清洁介质内的杂质。

在一些实施例中，第一管道设置有控制阀，用于控制清洁介质的流量。