[实用新型]半导体封装结构

说明书

本申请涉及半导体封装领域，提供一种半导体封装结构，包括基板、电子组件、封装体及金属屏蔽层。基板包括衬垫、电路连接结构及接触垫；电子组件包括第一电子器件及第二电子器件；封装体覆盖所述电子组件，并开设有隔离槽；金属屏蔽层包括封装屏蔽部及连接屏蔽部，封装屏蔽部与电路连接结构电性连接；在隔离槽贯穿封装体时，隔离槽的下半部填充有第一导电填充体；在隔离槽未贯穿封装体时，半导体封装结构还包括导电嵌入体，隔离槽开设至露出导电嵌入体的上表面。本半导体封装结构减小了隔离槽内导电材料的用量，半导体封装结构在经受热量变化时，相较于隔离槽内填满导电材料，本半导体封装结构的翘曲变小。

技术领域

本申请涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装结构。

背景技术

近年来，便携式电子设备朝着更小、更轻、更紧凑型的方向发展，系统级封装(System in package，SiP)是打造电子设备产品高集成、小型化等关键竞争力特性的技术。SIP是将一个或多个IC芯片以及被动元件集成在封装中的全系统或子系统。

SiP模组中的有些电子器件，例如高频数字元件及射频元件，会受到外界环境的干扰或者内部元器件之间的内部干扰，从而影响SiP模组内的电子器件运行，因此需要将SiP模组或者模组内的电子器件进行电磁屏蔽(EMI，Electromagnetic interference)，从而保证电子原件的正常工作。目前实现集成电路封装体的电磁屏蔽方式基本有两种：一种是共形屏蔽(conformal shielding)，另一种则是使用分腔屏蔽(compartment shielding)。其中共形屏蔽是指在封装过程中以金属溅镀、喷涂或其他镀膜方式在封装体的绝缘壳体外围形成金属屏蔽层。该金属屏蔽层会与外露于基板的接地金属接触，进而防止封装体内的电路连接结构遭受外部的电磁干扰。如图1，而分腔屏蔽可通过在封装的绝缘壳体内切割一隔离槽14使内部的接触垫112外露，再向隔离槽14内填充满导电胶体，形成导电填充体15，此时导电填充体的高度等于封装体的高度，然后再以共形屏蔽方式在封装体的绝缘壳体外围形成金属屏蔽层16以及金属屏蔽层25，以防止集成电路内的射频组件相互干扰。分腔屏蔽一般在不同需要隔离的功能块四周的封装体上激光开设隔离槽，隔离槽内填充导电胶体实现隔离，或在封装体内嵌入金属框，以实现隔离。但是，在外部环境温度变化时，半导体封装结构的翘曲较大。

实用新型内容

本申请提供一种半导体封装结构，解决了在外部环境温度变化时，现有的半导体封装结构的翘曲较大的问题。

为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：一种半导体封装结构，包括：

基板，包括衬垫、设置于所述衬垫内部的电路连接结构以及设置于所述衬垫的承载面上的接触垫，所述电路连接结构与所述接触垫电连接；

电子组件，至少包括位于所述承载面上的第一电子器件及第二电子器件，所述第一电子器件及所述第二电子器件与所述电路连接结构电性连接；

封装体，位于所述承载面，且覆盖所述电子组件，所述封装体沿朝向所述基板的方向开设有隔离槽，所述隔离槽位于所述第一电子器件与所述第二电子器件之间；

金属屏蔽层，至少包括形成于所述封装体的外表面的封装屏蔽部及连接于所述封装屏蔽部的连接屏蔽部，所述封装屏蔽部与所述电路连接结构相接触并电性连接；

在所述隔离槽沿朝向所述基板方向贯穿所述封装体的情况下，所述隔离槽内填充有与所述接触垫相接触并电性连接的第一导电填充体，且所述第一导电填充体填充于所述隔离槽的下半部，所述连接屏蔽部与所述第一导电填充体相接触并电性连接；

在所述隔离槽沿朝向所述基板方向未贯穿所述封装体的情况下，所述半导体封装结构还包括位于所述第一电子器件与所述第二电子器件之间的导电嵌入体，所述导电嵌入体与所述接触垫相接触并电性连接，所述隔离槽开设至露出所述导电嵌入体的上表面，所述连接屏蔽部与所述导电嵌入体电性连接。