[实用新型]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

基板，包括衬垫、设置于所述衬垫内部的电路连接结构以及设置于所述衬垫的承载面上的接触垫，所述电路连接结构与所述接触垫电连接；

电子组件，至少包括位于所述承载面上的第一电子器件及第二电子器件，所述第一电子器件及所述第二电子器件与所述电路连接结构电性连接；

封装体，位于所述承载面，且覆盖所述电子组件，所述封装体沿朝向所述基板的方向开设有隔离槽，所述隔离槽位于所述第一电子器件与所述第二电子器件之间；

金属屏蔽层，至少包括形成于所述封装体的外表面的封装屏蔽部及连接于所述封装屏蔽部的连接屏蔽部，所述封装屏蔽部与所述电路连接结构相接触并电性连接；

在所述隔离槽沿朝向所述基板方向贯穿所述封装体的情况下，所述隔离槽内填充有与所述接触垫相接触并电性连接的第一导电填充体，且所述第一导电填充体填充于所述隔离槽的下半部，所述连接屏蔽部与所述第一导电填充体相接触并电性连接；

在所述隔离槽沿朝向所述基板方向未贯穿所述封装体的情况下，所述半导体封装结构还包括位于所述第一电子器件与所述第二电子器件之间的导电嵌入体，所述导电嵌入体与所述接触垫相接触并电性连接，所述隔离槽开设至露出所述导电嵌入体的上表面，所述连接屏蔽部与所述导电嵌入体电性连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一导电填充体的高度小于或等于所述电子组件的最大高度，或，所述第一导电填充体的高度小于或等于封装体的高度的三分之二。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，在所述隔离槽沿朝向所述基板方向贯穿所述封装体的情况下，所述半导体封装结构还包括第一补强填充体，所述第一补强填充体填充于所述隔离槽的上半部，所述第一补强填充体的特定物理参数与所述封装体的特定物理参数的差值小于所述第一导电填充体的特定物理参数与所述封装体的特定物理参数的差值。

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述连接屏蔽部包括覆盖所述隔离槽的槽壁的第一隔离屏蔽段以及覆盖所述第一导电填充体的上表面的第一填充屏蔽段，所述第一隔离屏蔽段及所述第一填充屏蔽段共同围设形成第一容置槽，所述第一补强填充体填充于所述第一容置槽内。

5.根据权利要求3或4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一补强填充体的上表面与所述封装屏蔽部的上表面齐平。

6.根据权利要求3至5任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一补强填充体的抗拉强度大于60MPa。

7.根据权利要求3至5任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一补强填充体至少包含SiO₂、AlN、ZrW₂O₈和玻璃纤维中的至少一种的环氧复合胶。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，在所述隔离槽沿朝向所述基板方向未贯穿所述封装体的情况下，所述隔离槽内填充有第二补强填充体，所述第二补强填充体的特定物理参数与所述封装体的特定物理参数的差值小于所述第二导电填充体的特定物理参数与所述封装体的特定物理参数的差值。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述连接屏蔽部包括覆盖所述隔离槽的槽壁的第二隔离屏蔽段以及覆盖所述导电嵌入体的上表面的第二填充屏蔽段，所述第二隔离屏蔽段及所述第二填充屏蔽段共同围设形成第二容置槽，所述第二补强填充体填充于所述第二容置槽内。

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二补强填充体的上表面与所述封装屏蔽部的上表面齐平。