[实用新型]智能功率模块和空调器有效
申请号: | 202120615863.5 | 申请日: | 2021-03-25 |
公开(公告)号: | CN214506902U | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 刘利书 | 申请(专利权)人: | 广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387;H02H7/122;H02M1/32;H02M1/38;H02M7/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 欧阳高凤 |
地址: | 528311 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 智能 功率 模块 空调器 | ||
本实用新型公开了一种智能功率模块和空调器,该智能功率模块包括:三通道HVIC芯片、三通道LVIC芯片、三相上桥臂电路和三相下桥臂电路。其中,三通道HVIC芯片包括高压驱动电路;三通道LVIC芯片包括低压驱动电路和互锁与死区电路,互锁与死区电路与高压驱动电路、低压驱动电路分别连接;三相上桥臂电路,每一相上桥臂电路的驱动信号输入端与高压驱动电路中对应相的驱动信号输出端连接;三相下桥臂电路,每一相下桥臂电路的驱动信号输入端与低压驱动电路中对应相的驱动信号输出端连接。该智能功率模块可在实现上下桥互锁和死区控制功能的同时减小模块体积,减少组装和加工的复杂性,提高模块工作的可靠性。
技术领域
本实用新型涉及空调器技术领域,尤其是涉及一种智能功率模块和一种空调器。
背景技术
能源严重匮乏的今天,节能减排已成为当下的热点,实现电机高效驱动已变得愈发的重要。由于IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)兼具了MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物-半导体场效应晶体管)和GTR(Giant Transistor,电力晶体管)在电机驱动应用中的优点,IGBT 在电机驱动中作为开关管的优势愈发的明显,实现IGBT可靠、高效的驱动成为了电机高效驱动的关键。
常见的IGBT驱动方案包括:一个六通道HVIC(High Voltage Gate Driver IC,高压栅极驱动IC)驱动六路IGBT管;一个三通道HVIC分别驱动三路上桥IGBT,一个三通道LVIC(Low Voltage Gate Driver IC,低压栅极驱动IC)分别驱动三路下桥IGBT;三个二通道HVIC,每个HVIC分别驱动同相上桥和下桥的二路IGBT;三个一通道HVIC各驱动一路上桥IGBT,一个三通道LVIC分别驱动三路下桥IGBT。
然而上述常见的IGBT驱动方案中的智能功率模块均不能在实现上下桥互锁和死区控制功能的同时减小模块体积,减少组装和加工的复杂性,以及提高可靠性。
实用新型内容
本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本实用新型的一个目的在于提出一种智能功率模块,可在实现上下桥互锁和死区控制功能的同时减小模块体积,减少组装和加工的复杂性,提高模块工作的可靠性。
本实用新型的第二个目的在于提出一种空调器。
为达到上述目的,本实用新型第一方面提出了一种智能功率模块,包括:三通道HVIC 芯片,所述三通道HVIC芯片包括高压驱动电路;三通道LVIC芯片,所述三通道LVIC芯片包括低压驱动电路和互锁与死区电路,所述互锁与死区电路与所述高压驱动电路、所述低压驱动电路分别连接;三相上桥臂电路,每一相上桥臂电路的驱动信号输入端与所述高压驱动电路中对应相的驱动信号输出端连接;三相下桥臂电路,每一相下桥臂电路的驱动信号输入端与所述低压驱动电路中对应相的驱动信号输出端连接。
根据本实用新型的智能功率模块,通过分别与高压驱动电路、低压驱动电路连接的互锁与死区电路,可在实现上下桥互锁和死区控制功能的同时能够减小模块体积,减少组装和加工的复杂性;通过将互锁与死区电路设计在三通道LVIC芯片(即设计在低压区),可增加高低压区匹配度。
为达到上述目的,本实用新型第二方面提出了一种空调器,包括上述所述的智能功率模块。
根据本实用新型的空调器,通过上述的智能功率模块可在实现上下桥互锁和死区控制功能的同时减小模块体积,减少组装和加工的复杂性,并将互锁与死区电路设计在低压区,可增加高低压区匹配度,提高模块工作的可靠性。
本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
图1为根据本实用新型一个实施例的智能功率模块的结构框图;
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