[实用新型]一种芯片电容器

说明书

本实用新型涉及电容领域，具体涉及一种芯片电容器，包括基板、第一电极、第二电极、介电层和导电极，所述基板上设有所述第一电极，所述第一电极上表面设有所述介电层，所述介电层上端设有所述第二电极，所述第二电极的两端分别设有一个所述导电极，与所述第二电极不接触的所述导电极与所述第一电极接触，与所述第二电极接触的所述导电极与所述第一电极不接触，所述第一电极上端设有电容调整孔。该实用新型的一种芯片电容器，结构简单，制备加工方便，可以实现对电容的大批量微型生产，并且电容的容量可以在加工时根据生产要求进行调整，无需进行大规模的生产工序的调整。

技术领域

本实用新型涉及电容领域，具体涉及一种芯片电容器。

背景技术

电容(Capacitance)亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉(F)。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。因电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，所以广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。而随着科技的发展，电容也逐渐小型化和微型化，对电容的生产要求也逐渐提高。

但是由于电容的尺寸较小，加工时，两个电极的些许错位就会严重影响电容的质量，导致生产出来的电容次品率比较高，严重制约着企业的发展。

发明内容

为解决现有技术存在的不足，本实用新型提供了一种芯片电容器，该电容通过在第一电极上设置电容调节孔，以减小两个电容的正对面积，降低因两个电极错位所带来的电容值的巨大变化，提高了电容出厂的合格率。

本实用新型的技术方案为：

本实用新型提供了一种晶片电容器，包括基板、第一电极、第二电极、介电层和导电极，所述基板上设有所述第一电极，所述第一电极上表面设有所述介电层，所述介电层上端设有所述第二电极，所述第二电极的两端分别设有一个所述导电极，与所述第二电极不接触的所述导电极与所述第一电极接触，与所述第二电极接触的所述导电极与所述第一电极不接触，所述第一电极上端设有电容调整孔。

优选地，还包括第一保护层，所述第一保护层通过印刷涂敷在所述第二电极的外侧。

优选地，所述介电层的厚度为15～25um，所述第一电极的厚度为10～20um，所述第二电极的厚度为10～20um。

优选地，所述介电层的厚度为15um，所述第一电极的厚度为 20um，所述第二电极的厚度为20um。

优选地，所述介电层的厚度为20um，所述第一电极的厚度为 15um，所述第二电极的厚度为15um。

优选地，所述介电层的厚度为25um，所述第一电极的厚度为 10um，所述第二电极的厚度为10um。

优选地，所述电容调整孔成正方形，分布在所述第一电极的两侧。

本实用新型所达到的有益效果为：

本实用新型通过设置所述电容调整孔，降低了第一电极和和第二电极因位置偏移带来的电容值的差异，最大限度的降低了因两个电极板位置偏移对电容值带来的影响，增加了产品的出厂合格率。

附图说明

图1是本实用新型整体结构示意图。

图2是图1的剖视图。

图中，1、导电极；2、基板；3、第一电极；4、第二电极；5、介电层；6、保护层；7、背电极；31、电容调整孔。

具体实施方式

为便于本领域的技术人员理解本实用新型，下面结合附图说明本实用新型的具体实施方式。