[实用新型]一种芯片电容器有效
| 申请号: | 202120594081.8 | 申请日: | 2021-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN215265941U | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
| 发明(设计)人: | 汪晓伟 | 申请(专利权)人: | 旺诠科技(昆山)有限公司 |
| 主分类号: | H01G4/012 | 分类号: | H01G4/012;H01G13/00 |
| 代理公司: | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人: | 臧天雨 |
| 地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 电容器 | ||
1.一种芯片电容器,其特征在于:包括基板(2)、第一电极(3)、第二电极(4)、介电层(5)和导电极(1),所述基板(2)上设有所述第一电极(3),所述第一电极(3)上表面设有所述介电层(5),所述介电层(5)上端设有所述第二电极(4),所述第二电极(4)的两端分别设有一个所述导电极(1),与所述第二电极(4)不接触的所述导电极(1)与所述第一电极(3)接触,与所述第二电极(4)接触的所述导电极(1)与所述第一电极(3)不接触,所述第一电极(3)上端设有电容调整孔(31)。
2.根据权利要求1所述的一种芯片电容器,其特征在于:还包括第一保护层(6),所述第一保护层(6)通过印刷涂敷在所述第二电极(4)的外侧。
3.根据权利要求1或2所述的一种芯片电容器,其特征在于:所述介电层(5)的厚度为15~25um,所述第一电极(3)的厚度为10~20um,所述第二电极(4)的厚度为10~20um。
4.根据权利要求3所述的一种芯片电容器,其特征在于:所述介电层(5)的厚度为15um,所述第一电极(3)的厚度为20um,所述第二电极(4)的厚度为20um。
5.根据权利要求3所述的一种芯片电容器,其特征在于:所述介电层(5)的厚度为20um,所述第一电极(3)的厚度为15um,所述第二电极(4)的厚度为15um。
6.根据权利要求3所述的一种芯片电容器,其特征在于:所述介电层(5)的厚度为25um,所述第一电极(3)的厚度为10um,所述第二电极(4)的厚度为10um。
7.根据权利要求1所述的一种芯片电容器,其特征在于:所述电容调整孔(31)成正方形,分布在所述第一电极(3)的两侧。
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