[实用新型]一种用于提拉法晶体生长的加热结构及晶体生长装置

说明书

本实用新型公开了一种用于提拉法晶体生长的加热结构及晶体生长装置，所述加热结构包括：保温罩、高温熔融装置以及加热装置。采用了两段加热的方式，高温熔融装置的加热是用于形成制备晶体所需的熔体，在位于高温熔融装置上的保温罩内还设置了具有若干个加热单元的加热装置，并采用温度监测装置和温度控制装置实时监测并控制从晶体生长区域至籽晶杆入口的温度呈一定的温度梯度逐渐递减，降低了晶体生长后向上提拉的过程中晶体周围的温度的变化速率，并使通孔中的热场始终保持稳定，从而提高晶体的生长质量。

技术领域

本实用新型涉及提拉法晶体生长装置领域，尤其涉及一种用于提拉法晶体生长的加热结构及晶体生长装置。

背景技术

在采用提拉法或导模法制备晶体的过程中，晶体生长装置内晶体刚形成的区域温度较高，而靠近籽晶杆入口的区域相对于晶体形成的区域温度较低。由于从装置内部至外部的温度变化较大，籽晶杆提拉晶体时，晶体周围的温度降低较快，且可能会出现温度不稳定的情况，不利于晶体的生长。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种用于提拉法晶体生长的加热结构及晶体生长装置，旨在解决晶体在提拉过程中由于温度变化较快且温度不稳定而导致晶体生长质量差的问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种用于提拉法晶体生长的保温结构，其中，包括：

保温罩，所述保温罩开设通孔；

高温熔融装置，所述保温罩设置在所述高温熔融装置上；

加热装置，所述加热装置包括：

若干个加热单元，所述若干个加热单元沿所述通孔的轴向设置；

温度监测装置，用于监测所述保温罩的通孔中的温度场；

温度控制装置，所述温度监测装置和所述若干个加热单元分别与所述温度控制装置连接，所述温度控制装置用于根据所述温度场分别调整所述若干个加热单元的温度。

所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其中，每个加热单元均包括环绕所述通孔的中心轴并设置于所述通孔的内壁的电阻加热丝。

所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其中，所述通孔的宽度大于所述晶体的宽度。

所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其中，所述通孔为矩形通孔或圆形通孔。

所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其中，所述高温熔融装置包括炉体、设置在所述炉体内的坩埚、设置在所述坩埚周围的熔融加热装置以及设置在所述坩埚内的导模板。

所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其中，所述熔融加热装置为环绕所述坩埚的外侧的感应线圈。

所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其中，所述保温罩上开设有观察窗，所述观察窗设置在所述加热装置靠近所述坩埚的一侧的保温罩的侧壁上。

所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其中，所述保温罩的材料采用氧化锆砖。

一种晶体生长装置，其特征在于，包括如上所述的用于提拉法晶体生长的加热结构。

有益效果：本实用新型提供了一种用于提拉法晶体生长的加热结构及晶体生长装置，所述加热结构包括：保温罩、高温熔融装置以及加热装置。采用了两段加热的方式，高温熔融装置的加热是用于形成制备晶体所需的熔体，在位于高温熔融装置上的保温罩内还设置了具有若干个加热单元的加热装置，并采用温度监测装置和温度控制装置实时监测并控制从晶体生长区域至籽晶杆入口的温度呈一定的温度梯度逐渐递减，降低了晶体生长后向上提拉的过程中晶体周围的温度的变化速率，并使通孔中的热场始终保持稳定，从而提高晶体的生长质量。