[实用新型]一种用于提拉法晶体生长的加热结构及晶体生长装置

权利要求书

1.一种用于提拉法晶体生长的加热结构，其特征在于，包括：

保温罩，所述保温罩开设通孔；

高温熔融装置，所述保温罩设置在所述高温熔融装置上；

加热装置，所述加热装置包括：

若干个加热单元，所述若干个加热单元沿所述通孔的轴向设置；

温度监测装置，用于监测所述保温罩的通孔中的温度场；

温度控制装置，所述温度监测装置和所述若干个加热单元分别与所述温度控制装置连接，所述温度控制装置用于根据所述温度场分别调整所述若干个加热单元的温度。

2.根据权利要求1所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其特征在于，每个加热单元均包括环绕所述通孔的中心轴并设置于所述通孔的内壁的电阻加热丝。

3.根据权利要求1所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其特征在于，所述通孔的宽度大于所述晶体的宽度。

4.根据权利要求1所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其特征在于，所述通孔为矩形通孔或圆形通孔。

5.根据权利要求1所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其特征在于，所述高温熔融装置包括炉体、设置在所述炉体内的坩埚、设置在所述坩埚周围的熔融加热装置以及设置在所述坩埚内的模具。

6.根据权利要求5所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其特征在于，所述熔融加热装置为环绕所述坩埚的外侧的感应线圈。

7.根据权利要求5所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其特征在于，所述保温罩上开设有观察窗，所述观察窗设置在所述加热装置靠近所述坩埚的一侧的保温罩的侧壁上。

8.根据权利要求1所述的用于提拉法晶体生长的加热结构，其特征在于，所述保温罩采用氧化锆砖。

9.一种晶体生长装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一所述的用于提拉法晶体生长的加热结构。