[实用新型]一种用于导模法晶体生长的坩埚系统及晶体生长装置

说明书

本实用新型公开了一种用于导模法晶体生长的坩埚系统及晶体生长装置，所述坩埚系统包括：坩埚；模具，设置在所述坩埚内，所述模具的侧面上具有台阶；盖板，所述盖板设有开孔，所述模具穿过所述开孔，且所述台阶与所述盖板焊接。本实用新型通过在模板上设置台阶，将盖板的开孔搭在所述台阶上并进一步进行焊接，能够防止挥发物从坩埚中挥发出来并在模具上形成多余晶体而影响晶体的生长。

技术领域

本实用新型涉及导模法晶体生长技术领域，尤其涉及一种用于导模法晶体生长的坩埚系统及晶体生长装置。

背景技术

导模法是一种制备单晶的近尺寸成型技术，即直接从熔体中生长出所需形状的晶体毛坯，通过放置在熔体中的模具，通过毛细作用，将熔体从坩埚底部持续供应至模具的顶部，再采用籽晶杆进行提拉形成晶体。

现有的坩埚在提拉晶体时，通常是敞口的状态，而坩埚内的温度较高会产生挥发物，挥发物接触到模具可能会结晶形成多余晶体，不利于晶体的生长。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种用于导模法晶体生长的坩埚系统及晶体生长装置，旨在防止熔体的挥发物在模具上形成多余晶体。

本实用新型的技术方案如下：

一种用于导模法晶体生长的坩埚系统，其中，包括：

坩埚；

模具，位于所述坩埚内，所述模具的侧面上具有台阶；

盖板，所述盖板设有开孔，所述模具穿过所述开孔，且所述台阶与所述盖板焊接。

所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其中，所述盖板的外缘部与所述坩埚的侧壁抵接。

所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其中，所述台阶与所述盖板均靠近所述模具的顶端。

所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其中，所述台阶的端面与所述盖板的下表面连接。

所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其中，所述模具的宽度小于所述坩埚的宽度。

所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其中，所述模具包括相对设置的第一侧板和第二侧板，所述第一侧板和第二侧板之间具有狭缝。

所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其中，所述第一侧板的上表面为第一倾斜面，所述第一倾斜面从所述第一侧板远离所述狭缝的一侧往所述狭缝向下倾斜；所述第二侧板的上表面为第二倾斜面，所述第二倾斜面从所述第二侧板远离所述狭缝的一侧往所述狭缝向下倾斜。

所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其中，所述模具的底端具有底部开口。

一种用于导模法晶体生长的晶体生长装置，其中，包括如上所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统。

有益效果：本实用新型提供一种用于导模法晶体生长的坩埚系统及晶体生长装置，所述坩埚系统包括：坩埚；模具，设置在所述坩埚内，所述模具的侧面上具有台阶；盖板，所述盖板设有开孔，所述模具穿过所述开孔，且所述台阶与所述盖板焊接。本实用新型通过在模板上设置台阶，将盖板的开孔搭在所述台阶上并进行焊接，防止了挥发物从坩埚中挥发出来并在模具上形成多余晶体而影响晶体的生长。

附图说明

图1为本实用新型的一种用于导模法晶体生长的坩埚系统的结构示意图。

图2为本实用新型的模具的结构示意图。

图3为本实用新型的盖板的结构示意图。

附图标记：1、坩埚，2、模具，21、第一侧板，22、第二侧板，23、台阶，24、底部开口，3、盖板，31、开孔。