[实用新型]一种用于导模法晶体生长的坩埚系统及晶体生长装置有效
| 申请号： | 202120581908.1 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN215163303U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 齐红基;王晓亮 | 申请（专利权）人： | 杭州富加镓业科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34;C30B15/10 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 谢松 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 导模法 晶体生长 坩埚 系统 装置 | ||
1.一种用于导模法晶体生长的坩埚系统，其特征在于，包括：
坩埚；
模具，位于所述坩埚内，所述模具的侧面上具有台阶；
盖板，所述盖板设有开孔，所述模具穿过所述开孔，且所述台阶与所述盖板焊接。
2.根据权利要求1所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其特征在于，所述盖板的外缘部与所述坩埚的侧壁抵接。
3.根据权利要求1所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其特征在于，所述台阶与所述盖板均靠近所述模具的顶端。
4.根据权利要求1所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其特征在于，所述台阶的端面与所述盖板的下表面连接。
5.根据权利要求1所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其特征在于，所述模具的下端与所述坩埚的底部接触；和/或，
所述模具的宽度小于所述坩埚的宽度。
6.根据权利要求1所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其特征在于，所述模具包括相对设置的第一侧板和第二侧板，所述第一侧板和第二侧板之间具有狭缝。
7.根据权利要求6所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其特征在于，所述第一侧板的上表面为第一倾斜面，所述第一倾斜面从所述第一侧板远离所述狭缝的一侧往所述狭缝向下倾斜；所述第二侧板的上表面为第二倾斜面，所述第二倾斜面从所述第二侧板远离所述狭缝的一侧往所述狭缝向下倾斜。
8.根据权利要求6所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统，其特征在于，所述模具的底端具有底部开口。
9.一种用于导模法晶体生长的晶体生长装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一所述的用于导模法晶体生长的坩埚系统。
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