[实用新型]干蚀刻机

说明书

本实用新型提供了一种干蚀刻机，其包括：反应腔、上电极、下电极和多块导流板。下电极的上表面承载用于接受蚀刻气体蚀刻的基板。下电极的每个侧面设有至少一块导流板。每块导流板在下电极的对应侧面上沿着靠近或远离上电极的方向独立移动，使得下电极的同一侧面或者不同侧面上的导流板具有高度差。该高度差能够协调从位于下电极上表面的基板的不同位置逸出的气体的速率，减缓从基板薄区域逸出气体的速率或者增加从基板厚区域逸出气体的速率，从而使基板的厚区域和薄区域的气流速率大致一样，有利于保证蚀刻过程的均一性。

技术领域

本实用新型属于蚀刻机技术领域，具体涉及一种干蚀刻机。

背景技术

液晶显示面板(Liquid crystal display，LCD)的制造需要使用蚀刻工艺。根据蚀刻剂的物理状态可以将蚀刻工艺分为干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺。其中，湿蚀刻工艺利用蚀刻液体对基板进行蚀刻。干蚀刻工艺是利用干蚀刻机使蚀刻气体在RF射频电极的作用产生等离子体，在基板上把没有被光阻覆盖或保护的薄膜层以化学反应和物理反应的方式去除，而被光阻覆盖或保护的薄膜层因不被等离子体蚀刻而保留下来。

现有的干蚀刻机包括上电极、下电极和导流板。上电极和下电极的共同作用使蚀刻气体产生等离子体等。导流板则用于导流蚀刻完毕后残余的等离子气体。在蚀刻过程中，基板不同位置的薄膜层厚度因蚀刻作用而会发生变化，产生厚区域和薄区域。这些区域厚度的不同会影响通过的等离子体的流速。现有的干蚀刻机的上电极、下电极和导流板均采用固定连接方式，其相对位置无法灵活调节，难以响应等离子体流速的变化，从而对蚀刻的均一性产生不利的影响。

实用新型内容

本申请的目的在于提供一种干蚀刻机。在本申请中，该干蚀刻机的下电极的不同侧面独立设置了数块导流板，这些导流板能在下电极的侧面上沿着靠近或远离下电极上表面的方向独立移动，从而平衡蚀刻过程中流经基板厚区域和薄区域的蚀刻气体的流速，降低由于基板在蚀刻过程中不同位置存在厚度变化而造成的蚀刻气体流速差异的现象，有利于维持基板整体蚀刻过程和蚀刻速率的均一性。

为了达到上述目的，本申请提供了一种干蚀刻机，其包括如下组件：反应腔、上电极、下电极和多块导流板。

其中，反应腔用于供蚀刻气体对基板进行干蚀刻反应。上电极设于反应腔内部的上方空间，可以与反应腔的内侧顶面相结合，也可以与反应腔的顶面内侧存在一定间隙。下电极设于反应腔内部的下方空间并与上电极相对设置，其上表面承载用于接受蚀刻气体蚀刻的基板，其下表面置于或固定于反应腔的内侧底面上。多块导流板可移动地设于下电极的一个或多个对应侧面，即下电极的每个侧面上设置了至少一块导流板，该导流板用于导流从下电极的上表面逸向其侧面的残留蚀刻气体。每块导流板在下电极的对应侧面上沿着靠近或远离上电极的方向独立移动。在本申请的一些实施例中，下电极的每个侧面上可以设有1至5块导流板。

在本申请的一些实施例中，干蚀刻机还可以包括：多根支撑柱和多个升降机构。其中，每根支撑柱支撑与其对应设置的导流板并与该导流板的底部固定连接。一个导流板的底部可以被一根以上支撑柱支撑。支撑柱的一部分位于反应腔，而另一部分位于反应腔外，故反应腔的底部设有用于供支撑柱贯穿的第一通孔，支撑柱与该第一通孔可移动地密封连接，以防止蚀刻气体从第一通孔中逸出并造成漏气。升降机构的数目与支撑柱的数目一致，故升降机构与支撑柱一一对应设置，每个升降机构独立控制与其一一对应设置的支撑柱的升降。

在本申请的一些实施例中，升降机构可以为步进电机或气缸。在本申请的另一些实施例中，支撑柱可以与反应腔底部的第一通孔处通过波纹管密封连接。在本申请的其它一些实施例中，支撑柱与导流板的底部通过螺丝连接。

在本申请的一些实施例中，干蚀刻机还包括：输入装置。输入装置与多个升降机构通信连接，用于将用户输入的指令信息转换为控制信号并分别传输至对应的升降机构中。每个升降机构根据接收到的控制信号独立控制与其对应设置的支撑柱的升降，从而实现上述每块导流板的单独移动。