[实用新型]一种垂直腔面发射芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 202120551441.6 申请日: 2021-03-17
公开(公告)号: CN214798183U 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 李韬 申请(专利权)人: 华夏芯智慧光子科技(北京)有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/023
代理公司: 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 代理人: 马雯
地址: 100144 北京市石景*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 垂直 发射 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种垂直腔面发射芯片封装结构,包括基板(1),其特征在于,所述基板(1)的顶部固定连接有激光发射芯片(2),所述基板(1)的顶部固定连接有隔板圈(3),所述激光发射芯片(2)位于隔板圈(3)的内部,所述隔板圈(3)的外圈均匀固定连接有卡珠(6),所述卡珠(6)卡合有四个支撑板(5),四个所述支撑板(5)依次滑动连接,四个所述支撑板(5)的顶部共同卡合有透光盖板(7),所述支撑板(5)包括底板(51)、中间板(52)和顶板(53),所述中间板(52)位于支撑板(5)的中间部分,所述底板(51)固定连接在中间板(52)的底部,所述顶板(53)固定连接在中间板(52)的顶部,所述底板(51)和顶板(53)的一侧均开设有滑槽(54),所述底板(51)的一侧开设有卡槽(511),所述顶板(53)的一侧开设有盖板槽(531),所述底板(51)和顶板(53)一侧均固定连接有滑块(55)。

2.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射芯片封装结构,其特征在于,所述激光发射芯片(2)通过金线(4)与基板(1)电性连接。

3.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射芯片封装结构,其特征在于,所述中间板(52)的材质采用高纯度铜。

4.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射芯片封装结构,其特征在于,所述底板(51)和顶板(53)的材质均采用聚酰亚胺塑料。

5.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射芯片封装结构,其特征在于,所述透光盖板(7)的材质采用高硼硅玻璃透镜。

6.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射芯片封装结构,其特征在于,一个所述支撑板(5)的滑块(55)滑动连接在另一个支撑板(5)的滑槽(54)内部,四个所述支撑板(5)依次滑动连接。

7.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射芯片封装结构,其特征在于,所述透光盖板(7)卡合在盖板槽(531)内,所述卡珠(6)卡合在卡槽(511)内。

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