[实用新型]一种倒装微LED点阵有效
| 申请号: | 202120537646.9 | 申请日: | 2021-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN214505494U | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
| 发明(设计)人: | 郝锐;易翰翔;李玉珠;张洪安;武杰 | 申请(专利权)人: | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/64 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 颜希文;管莹 |
| 地址: | 529000 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 倒装 led 点阵 | ||
本实用新型公开了一种倒装微LED点阵,包括蓝宝石衬底、N型层、P型层、绝缘反射层、透明导电层、条形金属层、金属电极和背面金属层,所述N型层为沿X方向延伸成直条形并沿Y方向平行分布有数个,所述P型层呈点阵分布有数个,所述绝缘反射层覆盖所述P型层并同时覆盖到所述N型层的端部附近,所述绝缘反射层上设有开口,所述透明导电层设置在所述P型层上,所述条形金属层沿X方向平行地分布有数个并分别覆盖所述P型层,所述条形金属层遮挡所述P型层的顶面和四周侧壁,所述背面金属层覆盖在所述蓝宝石衬底的背面并设置有与所述P型层对应的开孔。这种倒装微LED点阵能避免侧向光的发散产生,轴向出光强,而且散热性能也较好。
技术领域
本实用新型涉及半导体发光技术领域,特别是涉及一种倒装微LED点阵。
背景技术
随着LED技术的快速发展以及LED光效的逐渐提高,LED的应用越来越广泛,从单个的LED芯片逐步发展到微LED点阵,而LED芯片的结构包括衬底和设置在衬底上的P型半导体层、N型半导体层;微LED点阵就是LED微缩化和矩阵化,是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,将像素点距离从毫米级降低至微米级,一般采用共N电极的工艺,P电极单独驱动已控制各个像素点的点亮;由于LED是360度发光,以往单点发光时会同时产生轴向光和侧向光,侧向光经过其他LED射出表面,导致串光,形成单颗LED启动却形成光斑的现象,而且一般的正装微LED阵列底部采用蓝宝石衬底的散热性能相对较差,在微LED点阵中LED数量多的情况下散热效果便也相应较差。
实用新型内容
本实用新型的目的是:提供一种轴向光强,无光斑现象,散热性能也较好的倒装微LED点阵。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种倒装微LED点阵。
一种倒装微LED点阵,包括蓝宝石衬底、N型层、P型层、绝缘反射层、透明导电层、条形金属层、金属电极和背面金属层,所述N型层为沿X方向延伸成直条形并沿Y方向在所述蓝宝石衬底上平行分布有数个,所述P型层在所述N型层上沿X和Y方向呈点阵分布有数个,所述绝缘反射层覆盖所述P型层并同时覆盖到所述N型层的端部附近,且所述绝缘反射层于所述P型层的顶面上设有开口,所述透明导电层设置在所述绝缘反射层的开口中的所述P型层上,且所述透明导电层凸出到所述绝缘反射层上,所述条形金属层沿X方向平行地分布有数个,并每个所述条形金属层分别沿Y方向对应延伸地覆盖数个所述P型层,所述条形金属层遮挡所述P型层的顶面和四周侧壁,所述透明导电层与所述条形金属层抵接,所述金属电极设置在所述N型层的端部上,所述背面金属层覆盖地设置在所述蓝宝石衬底的背面,且所述背面金属层设置有与所述P型层对应的开孔。
作为本实用新型的优选方案,所述背面金属层的开孔为圆锥形,且开孔的较宽一侧朝向所述P型层。
作为本实用新型的优选方案,所述蓝宝石衬底为磨薄的衬底。
作为本实用新型的优选方案,所述绝缘反射层于所述P型层顶面上的开口尺寸小于所述P型层的顶面尺寸。
作为本实用新型的优选方案,所述透明导电层的顶面尺寸小于等于所述P型层的顶面尺寸,并且所述透明导电层的顶面尺寸大于所述绝缘反射层于所述P型层上的刻蚀开口尺寸。
作为本实用新型的优选方案,所述绝缘反射层为绝缘材料制成的DBR层。
作为本实用新型的优选方案,所述透明导电层的材料为ITO。
作为本实用新型的优选方案,所述条形金属层、所述金属电极和所述背面金属层的材料为Cr、Al、Ti、Pt、Au中的一种或多种。
作为本实用新型的优选方案,所述N型层之间的距离≥3um。
作为本实用新型的优选方案,所述微LED点阵的长宽尺寸≥10um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





