[实用新型]智能功率级模块的封装结构及晶圆结构有效
申请号: | 202120529132.9 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN214378414U | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 黄水木;苏子龙;王光峰 | 申请(专利权)人: | 力智电子(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31 |
代理公司: | 广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司 44254 | 代理人: | 刘刚成 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区莲花街道福中社区金田*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 智能 功率 模块 封装 结构 | ||
本实用新型公开了一种智能功率级模块的封装结构及晶圆结构,智能功率级模块的封装结构包括引线框架、第一芯片、第二芯片、导电夹,第一芯片与第二芯片分别具有第一表面、第二表面及侧壁,第二表面具有组件区与切割区,切割区位于组件区的两侧;第二芯片还包括焊垫和绝缘层,焊垫设置于第二表面的组件区,绝缘层设置于第二芯片的第二表面,并覆盖组件区及切割区,且暴露焊垫;第二芯片的侧壁露出绝缘层。晶圆结构在相邻的芯片之间具有切割道,绝缘层完全覆盖切割道。该结构能够避免焊料形成的焊珠或隆起造成芯片的直接短路问题,提高成品的可靠性和稳定性。
技术领域
本实用新型涉及半导体封装领域,尤其是一种智能功率级模块的封装结构及晶圆结构。
背景技术
现有的智能功率级模块用焊料接合芯片焊垫与引线框架时,经常存在导电的焊料形成的焊珠或隆起,使得芯片表面的电极与芯片侧边的半导体衬底直接短路,降低了成品的可靠度。
实用新型内容
基于此,本实用新型所要解决的技术问题之一是提供一种智能功率级模块的封装结构,具备非常高的可靠性,能够避免芯片表面的电极与芯片侧边的半导体衬底直接短路。
为解决上述技术问题,本实用新型一种技术方案是,一种智能功率级模块的封装结构,包括引线框架、第一芯片、第二芯片、导电夹,第一芯片及第二芯片夹设于引线框架与导电夹之间,第一芯片、第二芯片分别具有第一表面、第二表面及侧壁,第二表面具有组件区与切割区,切割区位于组件区的周围;
第二芯片还包括焊垫和绝缘层;焊垫设置于第二表面的组件区;绝缘层设置于第二芯片的第二表面,并覆盖组件区及切割区,且暴露焊垫;在第二芯片两侧的侧壁露出绝缘层。
在一实施例中,在组件区与切割区之间有封装环,设置于第二表面。封装环用来隔离防护因为外部切割应力、潮湿、外部电荷带入,从而影响内部芯片性能。此外,还作为组件区与切割区的分界点,用于区分切割区域。
在一实施例中,第二芯片的第二表面面向引线框架,焊垫透过焊料层电性连接引线框架。
在一实施例中,第一芯片的第二表面及第二芯片的第一表面面向导电夹并彼此电性连接。
在一实施例中,导电夹的一端延伸设有接脚部,接脚部通过焊料层电性连接引线框架。
本实用新型所要解决的技术问题之二是提供一种晶圆结构,不仅能提高智能功率级模块成品的可靠性,而且保障制作效率不受影响。为解决上述技术问题,本实用新型另一种技术方案是,一种晶圆结构,晶圆结构包括多个芯片及切割道,芯片具有第一表面、第二表面及侧壁,第二表面具有组件区与切割区,切割区位于组件区的周围;芯片还包括焊垫和绝缘层,焊垫设置于第二表面的组件区,绝缘层设置于芯片的第二表面,并覆盖组件区及切割区,且暴露焊垫;切割道位于相邻的多个芯片之间,其中,绝缘层完全覆盖切割道。此处说述的芯片为第一芯片或者第二芯片。
本实用新型与现有技术相比所带来的有益效果是,通过将绝缘层覆盖组件区及切割区并暴露焊垫,该结构能够在焊接工序中,避免焊料形成的焊珠或隆起,从而造成与芯片表面的电极与芯片切割区的半导体衬底直接短路的质量问题,提高成品的可靠性和稳定性。在晶圆切片制程中,在切割晶圆之前,在相邻的芯片之间的切割道覆盖有绝缘层。在切割程序中,切割相邻两个芯片之间切割道的同时切割绝缘层,在没有增加工序而降低效率的情况,提供前述绝缘层结构来提高成品的可靠性和稳定性。
附图说明
图1为实施例1的智能功率级模块的封装结构的主视图。
图2为实施例2的单个芯片的示意图。
图3为实施例2的晶圆切片工序的示意图。
具体实施方式
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