[实用新型]遮挡装置及具有遮挡装置的基板处理腔室

说明书

本实用新型提供一种遮挡装置及具有遮挡装置的基板处理腔室，主要包括一反应腔体、一承载盘、一收纳腔体及一遮挡装置，其中反应腔体连接收纳腔体，而承载盘位于反应腔体内。遮挡装置包括至少一驱动杆体、至少一底座及一遮挡部，其中驱动杆体由收纳腔体延伸至反应腔体。底座连接遮挡部及驱动杆体，其中驱动杆体通过底座带动遮挡部在收纳腔体及反应腔体之间位移。在进行沉积制程时，驱动杆体会带动遮挡部位移至收纳腔体内。在进行清洁制程时，驱动杆体会带动遮挡部位移至反应腔体内，以避免在清洁处理腔室的过程中污染承载盘。

技术领域

本实用新型有关于一种遮挡装置及具有遮挡装置的基板处理腔室，主要通过遮挡装置隔离处理腔室的反应空间及承载盘，以避免在清洁处理腔室的过程中污染承载盘

背景技术

化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)及原子层沉积(ALD)皆是常用的薄膜沉积设备，并普遍被使用在集成电路、发光二极管及显示器等制程中。

沉积设备主要包括一腔体及一晶圆承载盘，其中晶圆承载盘位于腔体内，并用以承载至少一晶圆。以物理气相沉积为例，腔体内需要设置一靶材，其中靶材面对晶圆承载盘上的晶圆。在进行物理气相沉积时，可将惰性气体及/或反应气体输送至腔体内，分别对靶材及晶圆承载盘施加偏压，并通过晶圆承载盘加热承载的晶圆。

腔体内的惰性气体因为高压电场的作用，形成离子化的惰性气体，离子化的惰性气体会受到靶材上的偏压吸引而轰击靶材。从靶材溅出的靶材原子或分子受到晶圆承载盘上的偏压吸引，并沉积在加热的晶圆的表面，以在晶圆的表面形成薄膜。

在经过一段时间的使用后，腔体的内表面会形成沉积薄膜，因此需要周期性的清洁腔体，以避免沉积薄膜在制程中掉落，进而污染晶圆。此外靶材的表面亦可能形成氧化物或其他污染物，因此同样需要周期性的清洁靶材。一般而言，通常会通过预烧(burn-in)制程，以电浆离子撞击腔体内的靶材，以去除靶材表面的氧化物或其他污染物。

在进行上述清洁腔体及靶材时，需要将腔体内的晶圆承载盘及晶圆取出，或者隔离晶圆承载盘，以避免清洁过程中污染晶圆承载盘及晶圆。

实用新型内容

一般而言，基板处理腔室在经过一段时间的使用后，通常需要进行清洁，以去除腔室内沉积的薄膜及靶材上的氧化物或氮化物。在清洁的过程中产生的微粒会污染承载盘，因此需要隔离承载盘及污染物。本实用新型提出一种遮挡装置及具有遮挡装置的基板处理腔室，主要通过驱动杆体带动遮挡部沿着驱动杆体在一收纳位置及一遮挡位置之间位移，可避免清洁腔体或靶材时产生的微粒污染承载盘。

本实用新型的一目的，在于提供一种具有遮挡装置的基板处理腔室，主要包括一反应腔体、一承载盘、一收纳腔体及一遮挡装置，其中收纳腔体连接反应腔体。遮挡装置包括一驱动杆体、一底座及一遮挡部，其中驱动杆体通过底座连接遮挡部，并带动遮挡部在收纳腔体及反应腔体之间位移。

在清洁反应腔体时，驱动杆体会带动遮挡部位移至反应腔体内，并遮挡反应空间内的承载盘，以避免清洁过程中使用的电浆或产生的污染接触承载盘及/ 或其承载的基板。在进行沉积制程时，驱动杆体会带动遮挡部位移至收纳腔体内，并对反应腔体内的基板进行薄膜沉积。

本实用新型的一目的，在于提供一种具有遮挡装置的基板处理腔室，其中驱动杆体的数量为两个，并分别连接遮挡部的两侧。通过两个驱动杆体的使用，可更稳定的承载及驱动遮挡部，并可使用厚度较厚及重量较重的遮挡部。使用较厚重的遮挡部，可避免在清洁腔体的过程中造成遮挡部变形，并可防止清洁过程中使用的电浆或产生的污染经由变形的遮挡部接触承载盘或基板。

此外可进一步通过两个衬套分别包覆两个驱动杆体，以防止驱动杆体驱动遮挡部位移时产生的微粒扩散到反应腔体的容置空间。两个驱动杆体及两个衬套之间的间距大于承载盘及基板的直径，以避免干扰承载盘的位移及影响沉积制程的进行。