[实用新型]智能功率级模块

说明书

本实用新型公开了一种智能功率级模块，包括有引线框架、导电夹、第一金氧半晶体管芯片、第二金氧半晶体管芯片及封装胶体。引线框架包括乘载部及引线端导。电夹包括顶面部和第一接脚部，导电夹设置于引线框架上，第一接脚部包括与顶面部相垂直的第一接脚段，以及与第一接脚段相垂直的第二接脚段。第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片并排设置于引线框架与导电夹之间，第二金氧半晶体管芯片为倒装设置。封装胶体包覆智能功率级模块，并曝露部分第二接脚段。该结构能够增加散热面积，具有更高效率的散热路径，散热效果更佳。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，尤其是一种智能功率级模块。

背景技术

现有的DrMOS封装结构是将芯片的漏极配置于引线框架上，源极则是利用铜片的方式与引线框架的引脚连接，该结构的散热主要通过芯片下方的漏极端将热传导出去，发热源从芯片表面向下通过硅晶衬底、焊接材料、铜支架扩散到外部。该结构的另一传导散热路径是通过芯片上方将热传导出去，发热源从芯片表面向上依次通过焊接材料、铜片封装胶体扩散到外部。如图1所示，由于芯片上方和下方的热量经过多级材料传导，散热方式尚有进一步改进的空间，提高DrMOS封装结构的散热效率成为半导体封装领域亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种智能功率级模块，具有更高效率的散热路径，散热效果更佳。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：智能功率级模块包括有引线框架、导电夹、第一金氧半晶体管芯片、第二金氧半晶体管芯片及封装胶体。引线框架包括乘载部及引线端；导电夹包括顶面部和接脚部，导电夹设置于引线框架上，接脚部包括与导电夹相垂直的第一接脚段，以及与第一接脚段相垂直的第二接脚段；第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片并排设置于引线框架与导电夹之间，第二金氧半晶体管芯片为倒装设置；封装胶体包覆智能功率级模块，并曝露部分第二接脚段。

作为改进，第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片各具有第一表面及第二表面，第一表面具有第一电极与第二电极，第二表面具有第三电极。在具体应用过程中，通常将第一电极设置为栅极，第二电极设置为源极，第三电极设置为漏极。

作为改进，引线框架的乘载部具有第一部分及第二部分，第一部分连接第二金氧半晶体管芯片的第一电极，第二部分连接第二金氧半晶体管芯片的第二电极。

作为改进，导电夹的顶面部连接第一金氧半晶体管芯片的第二电极与第二金氧半晶体管芯片的第三电极。

作为改进，封装胶体曝露导电夹的部分顶面部。顶面部裸露区域的四周依然包覆有封装胶体，既可以达到封装芯片的目的，亦减少散热的阻碍，可以提散热效率。

作为改进，导电夹还包括有由接脚部的相对侧延伸的第二接脚部，电性连接引线框架。可提供额外的信号引脚，增加智能功率级模块使用的灵活性。

本实用新型与现有技术相比所带来的有益效果是：由于将第二金氧半晶体管芯片的倒装设置，第二金氧半晶体管芯片的源极与引线框架的承载部第二部分电性连接，源极热量直接从大面积的引线框架直接传达散发出去。第二金氧半晶体管芯片的漏极通过焊料层与导电夹电性连接，热量可以直接从焊接材料层和导电夹铜片顶面部散热出去，并且由于无需导电夹的接脚部连接引线框架，可以扩展接脚部的第二接脚段，增加导电夹的面积，加大散热面积，并且导电夹的第二接脚段曝露于封装体表面，进一步提高了散热效率。

附图说明

图1为现有技术的主视图。

图2为实施例1的智能功率级模块的俯视图。

图3为实施例1的智能功率级模块的主视图。

图4为实施例2的智能功率级模块的主视图。

图5为实施例3的智能功率级模块的俯视图。

图6为实施例3的智能功率级模块的主视图。