[实用新型]一种垂直功率MOS半导体器件有效
| 申请号： | 202120506903.2 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN214315997U | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 何海洋;胡健峰;彭强;梁金 | 申请（专利权）人： | 无锡市查奥微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K7/14 | 分类号： | H05K7/14;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京北辰联和知识产权代理有限公司 32350 | 代理人： | 王俊 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 功率 mos 半导体器件 | ||
1.一种垂直功率MOS半导体器件，包括MOS半导体主体(1)和壳体(2)，其特征在于：所述MOS半导体主体(1)和壳体(2)滑动连接，所述壳体(2)的内侧开设有第一滑槽(3)，所述第一滑槽(3)上滑动连接有第一滑块(5)，所述壳体(2)的外侧开设有第二滑槽(6)，所述第二滑槽(6)上滑动连接有第二滑块(7)，所述第二滑块(7)的一侧和第一滑块(5)固定连接，所述第二滑块(7)的另一侧固定连接有滑动板(8)，所述滑动板(8)和壳体(2)滑动连接，所述滑动板(8)的顶部固定连接有伸缩板(12)，所述伸缩板(12)的顶部通过合页转动连接有连接板(13)，所述连接板(13)的底部固定连接有插块(15)，所述壳体(2)上开设有插槽(14)，所述插槽(14)和插块(15)插接。
2.根据权利要求1所述的一种垂直功率MOS半导体器件，其特征在于：所述第一滑槽(3)内固定连接有滑杆(4)，所述第一滑块(5)在滑杆(4)上滑动连接。
3.根据权利要求1所述的一种垂直功率MOS半导体器件，其特征在于：所述滑动板(8)的侧面设置有防滑纹(9)，所述防滑纹(9)位于滑动板(8)的两侧。
4.根据权利要求1所述的一种垂直功率MOS半导体器件，其特征在于：所述壳体(2)上开设有第三滑槽(10)，所述第三滑槽(10)上滑动连接有第三滑块(11)，所述第三滑块(11)和滑动板(8)固定连接。
5.根据权利要求1所述的一种垂直功率MOS半导体器件，其特征在于：所述伸缩板(12)的数量为两个，所述插块(15)的数量为两个。
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