[实用新型]一种处理器芯片有效
申请号: | 202120444950.9 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN214254414U | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 杜树安;韩亚男;于琴;孟凡晓;逯永广 | 申请(专利权)人: | 成都海光集成电路设计有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/498;H01L23/538;H01L23/482;H01L23/544 |
代理公司: | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人: | 赵永刚 |
地址: | 610041 四川省成都市高新区天府大道*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 处理器 芯片 | ||
1.一种处理器芯片,其特征在于,包括:
具有相对的第一面及第二面的封装基板;
设置在所述封装基板的第一面上的四个中央处理器裸片,其中,所述四个中央处理器裸片呈两排两列的阵列方式分布在所述封装基板的第一面上;
且所述四个中央处理器裸片中,同一排的两个中央处理器裸片通过位于该两个中央处理器裸片之间的一组GMI总线互连;同一列的两个中央处理器裸片通过位于该两个中央处理器裸片之间的一组GMI总线互连;呈对角分布的两个中央处理器裸片通过位于该两个中央处理器裸片之间的一组GMI总线互连。
2.如权利要求1所述的处理器芯片,其特征在于,所述四个中央处理器裸片中的每个中央处理器裸片均具有双通道DDR焊盘区域,所述双通道DDR焊盘区域分布有双通道DDR焊盘;
其中,位于左侧一列的两个中央处理器裸片上的所述双通道DDR焊盘区域分布在每个中央处理器裸片的左侧;位于右侧一列的两个中央处理器裸片上的双通道DDR焊盘区域分布在每个中央处理器裸片的右侧。
3.如权利要求2所述的处理器芯片,其特征在于,所述四个中央处理器裸片中的每个中央处理器裸片均具有两个32lane Serdes焊盘区域,所述两个32lane Serdes焊盘区域分布有32lane Serdes焊盘;
所述两个32lane Serdes焊盘区域分别位于每个中央处理器裸片的相对的两个边,且其中一个32lane Serdes焊盘区域与所述双通道DDR焊盘区域位于同一边;
其中,位于上侧一排的两个中央处理器裸片分别有一个所述32lane Serdes焊盘区域分布在每个中央处理器裸片的上侧;位于下侧一排的两个中央处理器裸片分别有一个所述32lane Serdes焊盘区域分布在每个中央处理器裸片的下侧。
4.如权利要求3所述的处理器芯片,其特征在于,所述四个中央处理器裸片采用栅格阵列封装方式封装在所述封装基板上,且所述封装基板的第二面上设置有引脚区域;
其中,所述引脚区域包括两个DDR引脚区域,所述两个DDR引脚区域分布有与所述四个中央处理器裸片的所述双通道DDR焊盘电连接的引脚;且所述两个DDR引脚区域分别位于所述封装基板的第二面的左右两侧。
5.如权利要求4所述的处理器芯片,其特征在于,所述引脚区域还包括两个Serdes引脚区域,所述两个Serdes引脚区域分布有与所述四个中央处理器裸片的所述32lane Serdes焊盘电连接的引脚;且所述两个Serdes引脚区域分别位于所述封装基板的第二面的上下两侧。
6.如权利要求4所述的处理器芯片,其特征在于,所述封装基板的第一面还设置有四个第一去耦电容区域,其中两个第一去耦电容区域间隔分布,并分列在所述四个中央处理器裸片的上下两侧;另外两个第一去耦电容区域间隔分布,并分列在所述四个中央处理器裸片的左右两侧;
其中,每个第一去耦电容区域均设置有多个第一去耦电容、以及第一光学对准标记。
7.如权利要求6所述的处理器芯片,其特征在于,所述封装基板的第二面还设置有两个第二去耦电容区域,所述两个第二去耦电容区域上下排列并间隔分布;所述引脚区域环绕在所述两个第二去耦电容区域的四周;
其中,每个第二去耦电容区域设置有多个第二去耦电容、以及第二光学对准标记。
8.如权利要求7所述的处理器芯片,其特征在于,所述封装基板的第一面还设置有四个第三光学对准标记,所述四个第三光学对准标记与所述四个中央处理器裸片一一对应。
9.如权利要求1所述的处理器芯片,其特征在于,所述封装基板的一角处设置有指向标记,且在封装后所述指向标记外露于所述处理器芯片外。
10.如权利要求1所述的处理器芯片,其特征在于,所述封装基板的侧边上设置有定位孔,且在封装后所述定位孔外露于所述处理器芯片外。
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