[实用新型]一种双层衍射元件及其压印母版有效
| 申请号： | 202120444619.7 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN214225473U | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 国成立;张成卓;戴付建;赵烈烽 | 申请（专利权）人： | 浙江舜宇光学有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京谨诚君睿知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11538 | 代理人： | 延慧;武丽荣 |
| 地址： | 315400 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双层 衍射 元件 及其 压印 母版 | ||
1.一种双层衍射元件，其特征在于，包括：基层(11)，设置在所述基层(11)上的第一衍射层(12)，与所述第一衍射层(12)嵌合设置的第二衍射层(13)；
所述第一衍射层(12)与所述第二衍射层(13)的总厚度n满足：n≤40μm；
所述第一衍射层(12)与所述第二衍射层(13)之间的间隔小于或等于1μm。
2.根据权利要求1所述的双层衍射元件，其特征在于，所述第一衍射层(12)与所述第二衍射层(13)的总厚度n满足：30μm≤n≤40μm。
3.根据权利要求1所述的双层衍射元件，其特征在于，所述第一衍射层(12)上设置有微结构(121)；
所述微结构(121)为纳米压印结构。
4.根据权利要求1所述的双层衍射元件，其特征在于，在波段为470nm-650nm的宽光谱范围内，衍射效率大于或等于85％。
5.根据权利要求1至4任一项所述的双层衍射元件，其特征在于，所述第一衍射层(12)的折射率n1满足：在波段为470nm-650nm的宽光谱范围内，1.566＜n1＜1.586；
所述第一衍射层(12)的凹陷深度d1满足：5μm＜d1＜30μm。
6.根据权利要求5所述的双层衍射元件，其特征在于，所述第二衍射层(13)的折射率n2满足：在波段为470nm-650nm的宽光谱范围内，1.542＜n2＜1.562；
所述第二衍射层(13)的凹陷深度d2满足：5μm＜d2＜30μm。
7.一种用于权利要求1至6任一项所述的双层衍射元件的压印母版，其特征在于，包括：母版本体(21)，设置在所述母版本体(21)上的压印区域(22)；
所述压印区域(22)在所述母版本体(21)上阵列设置有多个；
所述压印区域(22)上设置有与所述第一衍射层(12)上的微结构(121)相匹配的压印微结构。
8.根据权利要求7所述的压印母版，其特征在于，所述母版本体(21)的平整度PV满足：PV20μm。
9.根据权利要求7或8所述的压印母版，其特征在于，所述压印区域(22)包括具有所述压印微结构的有效工作区域和环绕所述有效工作区域的非工作区域；
所述非工作区域的宽度d满足：0.1≤d≤0.5mm。
10.根据权利要求7所述的压印母版，其特征在于，采用PDMS材料制成。
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