[实用新型]多晶硅还原炉

说明书

本实用新型公开了多晶硅还原炉。该多晶硅还原炉包括：炉体；以及炉顶，所述炉顶设在所述炉体的顶部，所述炉顶的内表面设有热反射涂覆层。该多晶硅还原炉的炉顶内表面设有热反射涂覆层，由此，可以有效地将热量反射至硅棒顶部，从而提高硅棒顶部的温度，使该部分硅棒的温度与硅棒整体一致，对该部分硅棒的沉积起到积极作用，进而有效提高产品的良率。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，具体而言，本实用新型涉及多晶硅还原炉。

背景技术

电子级多晶硅是集成电路产业的基础原材料，业内主流的生产技术为基于三氯氢硅的改良西门子法，其核心为利用三氯氢硅和氢气为原料进行异相化学沉积的过程，业内一般称此过程为还原工序，气相的三氯氢硅和氢气混合物以一定比例和温度从设备底部的进气喷口进入，在炉内竖直放置的硅芯上进行沉积，未完全反应的氯硅烷尾气会从设备底部的尾气出口排出。

还原工序中，硅芯和逐渐沉积而长成的硅棒为倒U型，表面温度控制在1000～1100℃，在硅棒顶部区域存在较为严重的表面状态不佳问题，此部分硅料一般作为废料降级处理，严重影响了产品的良率。因而，现有的多晶硅生产工艺仍有待改进。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出多晶硅还原炉。通过采用该多晶硅还原炉，可以有效地改善顶部硅棒表面状态不佳的现象，提高单炉产率并降低成本。

发明人在研究中发现，顶部硅棒表面状态不佳的现象产生的原因是反应器内温度较高，顶部硅棒的表面温度均匀程度较难控制，同时三氯氢硅和氢气在反应器顶部的流动性较差、较为停滞，同时气相浓度也存在不一致的问题。这些因素综合发生作用，使得顶部硅棒生长状态难以有效改善。

鉴于此，在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种多晶硅还原炉。根据本实用新型的实施例，该多晶硅还原炉包括：炉体；以及炉顶，所述炉顶设在所述炉体的顶部，所述炉顶的内表面设有热反射涂覆层。

根据本实用新型上述实施例的多晶硅还原炉，其炉顶内表面设有热反射涂覆层，由此，可以有效地将热量反射至硅棒顶部，从而提高硅棒顶部的温度，使该部分硅棒的温度与硅棒整体一致，对该部分硅棒的沉积起到积极作用，进而有效提高产品的良率。

任选地，所述热反射涂覆层为金涂覆层或银涂覆层。

任选地，所述热反射涂覆层覆盖所述炉顶内表面的总面积的60％～80％。

任选地，所述热反射涂覆层的表面分布有环状褶皱。

任选地，所述炉顶呈半球形或半椭球形。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本实用新型一个实施例的多晶硅还原炉的结构示意图；

图2是根据本实用新型一个实施例的多晶硅化学气相沉积方法中三氯氢硅的流量曲线图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。