[实用新型]一种慢提拉清洗水槽有效
| 申请号: | 202120415686.6 | 申请日: | 2021-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN215299182U | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
| 发明(设计)人: | 钱鑫;王艺澄;刘传君 | 申请(专利权)人: | 江苏美科太阳能科技有限公司;包头美科硅能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 石艳红 |
| 地址: | 212200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 慢提拉 清洗 水槽 | ||
本实用新型提供了一种慢提拉清洗水槽,包括用于清洗硅片的清洗槽,清洗槽内设置有开口向上的清洗腔,清洗槽的外部设置有慢提拉装置,清洗槽的顶部设置有高压吹气装置,且高压吹气装置的吹风口倾斜向下设置,清洗腔的上端侧壁上设置有溢流口,在清洁槽于槽内液面水平位置处设置有红外光电感应装置。通过高压吹气将慢提拉槽液面浮沫吹至水槽一侧,再通过溢流口将浮沫排走,避免浮沫附着在硅片上缘形成水渍脏污,提高硅片表面质量;当水槽内开始慢提拉上升,红外光电感应装置中的光电开光感应到花篮后停止吹气,节约资源,同时避免高压气对硅片产生损伤。
技术领域
本实用新型属于单晶硅片清洗的技术领域,具体的是一种慢提拉清洗水槽。
背景技术
单晶硅片清洗环节分为溢流预清洗、碱洗、一次溢流漂洗、H2O2浸泡、二次溢流漂洗、慢提拉升温、烘干和自然冷却。硅片需要经过酸洗去除硅片表面氧化物,然后硅片需经过水洗,接着烘干后进入下一道工序,现有的清洗水槽在慢提拉过程中液面会有浮沫,当浸泡在慢提拉水槽中的硅片缓慢拉出水面的同时,浮沫会附着于硅片上缘,在85℃温度环境下,浮沫迅速烘干,但是在硅片表面形成水渍痕迹形成脏污异常,影响硅片表面品质。
实用新型内容
本实用新型提供了一种慢提拉清洗水槽用以解决上述背景技术中提出的技术问题。
本实用新型解决上述技术问题采用的技术方案为:
一种慢提拉清洗水槽,包括用于清洗硅片的清洗槽,所述清洗槽内设置有开口向上的清洗腔,所述清洗槽的顶部设置有高压吹气装置,且所述高压吹气装置的吹风口倾斜向下设置,所述清洗腔的上端侧壁上设置有溢流口,在所述清洁槽于槽内液面水平位置处设置有红外光电感应装置。
进一步地,所述清洗腔至少设置有一个,间隔均匀的设置在所述清洗槽内。
进一步地,各所述清洗腔的上端侧壁上均设置有所述溢流口,且所述溢流口至少设置有两个,对称设置在所述清洗腔的上端左右两侧壁上。
进一步地,所述清洗腔的左右两端侧壁外部设置有固定部,所述清洗槽的槽内左右两端各设置有一块连接板,所述固定部与所述连接板连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果为:
1、清洗槽的顶部设置有高压吹气装置,且高压吹气装置的吹风口倾斜向下设置,通过高压吹气装置将慢提拉槽液面浮沫吹至清洗腔一侧,并通过溢流口将浮沫排出;溢流口至少设置有两个,对称设置在所述清洗腔的上端左右两侧壁上,当高压吹气装置的风力较大时,浮沫会随风向吹至清洗腔的另一侧,通过另一侧的溢流口将浮沫排出,更有效的避免浮沫附着在硅片上缘形成水渍脏污,提高硅片表面质量。
2、在清洁槽于槽内液面水平位置处设置有红外光电感应装置,当水槽内开始慢提拉上升,红外光电感应装置中的光电开光感应到花篮后控制高压吹气装置停止吹气,节约资源,同时避免高压气对硅片产生损伤。
附图说明
图1为本实用新型一种慢提拉清洗水槽的立体图;
图2为本实用新型一种慢提拉清洗水槽的结构示意图;
图3为本实用新型一种慢提拉清洗水槽的俯视图;
图中,1、清洗槽,2、清洗腔,3、慢提拉装置,4、高压吹起装置,5、溢流口,6、红外光电感应装置,7、固定部,8、连接板。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更加全面的描述,附图中给出了本实用新型的若干实施例,但是本实用新型可以通过不同的形式来实现,并不限于文本所描述的实施例,相反的,提供这些实施例是为了使对本实用新型公开的内容更加透彻全面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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