[实用新型]一种多梯度的长晶实验装置有效
| 申请号: | 202120409763.7 | 申请日: | 2021-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN214327964U | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00 |
| 代理公司: | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人: | 韩立岩 |
| 地址: | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 梯度 实验 装置 | ||
本实用新型涉及一种多梯度的长晶实验装置,属于晶体实验技术领域。解决的是单次实验无法验证多个不同位置的长晶情况,效率低,需多次重复实验的问题。包括坩埚、长晶料、小晶片、晶片托架、加热器和人字型支架,坩埚的下部装有长晶料,坩埚位于加热器内侧,人字型支架位于长晶料上侧且人字型支架与坩埚连接,人字型支架为阶梯型架,人字型支架的阶梯与晶片托架铰接,晶片托架的下部连接小晶片。在单次实验中就可得到几种梯度下的实验结果,根据结果可得到大量的实验数据,根据不同的结论,确定位置对晶体生长的影响,减少实验次数,提高实验效率,便于拆卸、清理,操作简单方便。
技术领域
本实用新型涉及一种多梯度的长晶装置,属于晶体实验技术领域。
背景技术
所谓晶体生长是物质在特定的物理和化学条件下由气相、液相或固相形成晶体的过程。晶体的生长过程受到很多因素的共同作用,通过改变单一或者多个变量来记录观察不同的结果。晶体的生长速度对长晶位置同样具有依赖性,通常需要实验找到有利于晶体生长位置。在实验室为了找到合适的温梯,不断调整晶片的位置,然后记录观察结果,每次实验只能粘一片或多个小晶片,但它们都是粘在同一个平面上,单次实验无法验证最佳长晶位置,效率低,只能重复实验。
因此,亟需提出一种多梯度的长晶实验装置,以解决上述技术问题。
实用新型内容
本实用新型研发解决的是单次实验无法验证多个不同位置的长晶情况,效率低,需多次重复实验的问题。在下文中给出了关于本实用新型的简要概述,以便提供关于本实用新型的某些方面的基本理解。应当理解,这个概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分,也不是意图限定本实用新型的范围。
本实用新型的技术方案:
一种多梯度的长晶实验装置,包括坩埚、长晶料、小晶片、晶片托架、加热器和人字型支架,坩埚的下部装有长晶料,坩埚位于加热器内侧,人字型支架位于长晶料上侧且人字型支架与坩埚连接,人字型支架为阶梯型架,人字型支架的阶梯与晶片托架铰接,晶片托架的下部连接小晶片。
优选的:还包括旋钮,人字型支架的两端与坩埚的侧壁轴承连接,人字型支架的一端伸出坩埚与旋钮连接。
优选的:所述人字型支架包括平行设置的第一支架和第二支架,第一支架和第二支架的阶梯之间铰接安装座,晶片托架与安装座连接,第一支架或第二支架的一端伸出坩埚与旋钮连接。
优选的:所述旋钮为隔热旋钮。
优选的:所述坩埚为上部设置可开关的开口或者侧面设置可开关的开口。
本实用新型具有以下有益效果:
在单次实验中就可得到几种梯度下的实验结果,根据结果可得到大量的实验数据,根据不同的结论,确定位置对晶体生长的影响,减少实验次数,提高实验效率,便于拆卸、清理,操作简单方便。
附图说明
图1是一种多梯度的长晶实验装置的结构示意图;
图2是人字型支架的结构示意图;
图中1-坩埚,2-长晶料,3-小晶片,4-晶片托架,5-加热器,6-人字型支架,7-旋钮,61-第一支架,62-第二支架,41-安装座。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明了,下面通过附图中示出的具体实施例来描述本实用新型。但是应该理解,这些描述只是示例性的,而并非要限制本实用新型的范围。此外,在以下说明中,省略了对公知结构和技术的描述,以避免不必要地混淆本实用新型的概念。
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